公开(公告)号：CN111640742A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010498393.9

申请日：2016-06-30

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 太田朋成 ,  曾田茂稔 ,  安田英司 ,  今村武司 ,  今井俊和 ,  大河亮介 ,  吉田一磨 ,  平子正明 ,  安道焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 半导体装置，在将半导体装置分割出的第一及第二区域中分别形成立式第一及第二金属氧化物半导体晶体管，第一金属氧化物半导体晶体管具有1个以上第一栅极衬垫和4个以上第一源极衬垫，第一栅极衬垫在俯视时由4个以上第一源极衬垫包围，第一栅极衬垫与第一源极衬垫的最接近点在俯视时位于第一直线，第二金属氧化物半导体晶体管具有1个以上第二栅极衬垫和4个以上第二源极衬垫，第二栅极衬垫在俯视时由4个以上第二源极衬垫包围，第二栅极衬垫与第二源极衬垫的最接近点在俯视时位于第二直线，将第一及第二金属氧化物半导体晶体管的漏极连接的导体设置在半导体装置的另一主面，第一及第二栅极衬垫、第一及第二源极衬垫露出到半导体装置的外观。