公开(公告)号：CN111640742A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010498393.9

申请日：2016-06-30

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 太田朋成 ,  曾田茂稔 ,  安田英司 ,  今村武司 ,  今井俊和 ,  大河亮介 ,  吉田一磨 ,  平子正明 ,  安道焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 半导体装置，在将半导体装置分割出的第一及第二区域中分别形成立式第一及第二金属氧化物半导体晶体管，第一金属氧化物半导体晶体管具有1个以上第一栅极衬垫和4个以上第一源极衬垫，第一栅极衬垫在俯视时由4个以上第一源极衬垫包围，第一栅极衬垫与第一源极衬垫的最接近点在俯视时位于第一直线，第二金属氧化物半导体晶体管具有1个以上第二栅极衬垫和4个以上第二源极衬垫，第二栅极衬垫在俯视时由4个以上第二源极衬垫包围，第二栅极衬垫与第二源极衬垫的最接近点在俯视时位于第二直线，将第一及第二金属氧化物半导体晶体管的漏极连接的导体设置在半导体装置的另一主面，第一及第二栅极衬垫、第一及第二源极衬垫露出到半导体装置的外观。

公开(公告)号：CN111863811A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010696748.5

申请日：2017-08-01

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 安田英司 ,  今井俊和 ,  大河亮介 ,  今村武司 ,  坂本光章 ,  吉田一磨 ,  平子正明 ,  升元康之 ,  曾田茂稔 ,  太田朋成

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明的半导体装置及半导体封装装置，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，背面电极厚度为25μm以上35μm以下，在平面视下，半导体基板以向背面电极侧凸起的方式弯曲，设其对角尺寸为Lmm时，背面电极厚度相对于包括半导体基板和低浓度杂质层的半导体层的比例为(－0.48×L+2.07)以上(－0.48×L+2.45)以下。

公开(公告)号：CN112271178A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011145820.1

申请日：2017-08-01

Applicant: 松下半导体解决方案株式会社

Inventor： 安田英司 ,  今井俊和 ,  大河亮介 ,  今村武司 ,  坂本光章 ,  吉田一磨 ,  平子正明 ,  升元康之 ,  曾田茂稔 ,  太田朋成

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H02J7/00

Abstract: 本发明的半导体装置及半导体模块，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，作为多个第一源极电极中的一个的第三源极电极与作为多个第二源极电极中的一个的第四源极电极分别是相对于第一区域与第二区域的边界最近的源极电极，并且沿着边界的全区域而配置。