公开(公告)号：CN104145308A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380011703.8

申请日：2013-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田孝典 ,  河野和幸

IPC: G11C13/00

Abstract: 非易失性半导体存储装置具备：将多个存储单元(MC)配置为矩阵状而成的存储单元阵列(12)；基准位线(RBL)；基准源极线(RSL)；包含在这些布线之间串联连接的第1以及第2晶体管(TR1，TR2)的至少1个基准单元(RC)；与第1晶体管(TR1)的栅极连接的基准字线(RWL)；和对第2晶体管(TR2)的栅极电压进行控制的基准驱动器电路(20)。

公开(公告)号：CN103548086A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024658.5

申请日：2012-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田孝典 ,  河野和幸

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/101

Abstract: 存储单元阵列(40)包括与多个存储单元(MC)内的单元晶体管(CT)的栅极相连接的多条字线(WL)、多条第一控制线(BL)、多条第二控制线(SL)以及根据第一信号将第一控制线(BL)全部一起接地的第一接地电路(42)。第一接地电路(42)包括多个分别对应于第一控制线(BL)而设且汲极与该第一控制线(BL)相连接的第一晶体管(BT)、将其源极共同接地的第一接地布线(GD1)以及将第一信号供给该栅极的第一信号布线(BC)。

公开(公告)号：CN103548086B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280024658.5

申请日：2012-05-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田孝典 ,  河野和幸

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0071 ,  G11C2213/82 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/101

Abstract: 存储单元阵列(40)包括与多个存储单元(MC)内的单元晶体管(CT)的栅极相连接的多条字线(WL)、多条第一控制线(BL)、多条第二控制线(SL)以及根据第一信号将第一控制线(BL)全部一起接地的第一接地电路(42)。第一接地电路(42)包括多个分别对应于第一控制线(BL)而设且漏极与该第一控制线(BL)相连接的第一晶体管(BT)、将其源极共同接地的第一接地布线(GD1)以及将第一信号供给该栅极的第一信号布线(BC)。

公开(公告)号：CN104160450A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380012560.2

申请日：2013-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 河野和幸 ,  上田孝典

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L27/249 ,  G11C7/14 ,  G11C11/16 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436

Abstract: 非易失性半导体存储装置具备：被串联连接的多个固定电阻元件(R)；多个基准单元晶体管(T)；与多个基准单元晶体管(T)的栅极连接的基准字线(RWL)；与配置了多个固定电阻元件(R)的电阻路径的一端连接的第1基准数据线(RBL)；和与多个基准单元晶体管(T)的一端公共地连接的第2基准数据线(RSL)，多个基准单元晶体管(T)的另一端与固定电阻元件(R)之间的任意一个或者电阻路径的另一端连接。