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公开(公告)号：CN103339680A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006506.2
申请日：2012-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G11C13/00
Abstract: 字线(WL1～WLm)分别与存储单元(MC11～MCmn)的存储单元行相对应。位线(BL1～BLn)及源极线(SL1～SLn)分别与存储单元(MC11～MCmn)的存储单元列相对应。第一开关元件(DB1～DBn)对被施加基准电压(VSS)的基准节点与位线(BL1～BLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换，第二开关元件(DS1～DSn)对该基准节点与源极线(SL1～SLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换，第三开关元件(CB1～CBn)对供给重写电压(Vwrite)的写驱动器(16)与位线(BL1～BLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换，第四开关元件(CS1～CSn)对该写驱动器(16)与源极线(SL1～SLn)之间的连接状态和非连接状态进行切换。
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公开(公告)号：CN100511479C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200410005949.7
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
CPC classification number: G11C16/3481 , G11C16/12 , G11C16/3454
Abstract: 设置在每条位线或者多条位线上的写电路包括用于存储写入多个页面的数据的多个锁存电路，以及包括用于连接多个锁存电路和位线的位线连接电路，并且通过重复连续的编程操作以及连续的验证操作来对多个页面执行写操作，其中当电压生成电路连续地生成编程操作所需电压时，对多个页面连续地执行编程操作，当电压生成电路连续地生成验证操作所需电压时，连续地对多个页面执行验证操作。
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公开(公告)号：CN1452077A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03122625.6
申请日：2003-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G06F12/14
CPC classification number: G06F12/1433 , G06F12/1466 , G11C16/22
Abstract: 本发明提供一种不需要新添设置动作模式、并且仅由极少的附加电路就可实现安全功能的非易失性半导体存储装置及其机密保护方法。使用执行非易失性半导体存储装置中预备的汇总写入动作(页面闩锁动作、页面程序动作、查证动作)的列闩锁电路(29)来实现安全功能。通过安全控制电路(41)的控制，在列闩锁电路(29)中保存解除安全功能用的密码，执行保存在列闩锁电路(29)中的密码与保存在解除代码保存部(13)中的安全解除代码的查证动作。在查证动作中判断密码与安全解除代码一致的情况下，执行安全功能的解除。
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公开(公告)号：CN101123115B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710135729.X
申请日：2007-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G11C16/04
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/12 , G11C7/18 , G11C16/28 , G11C2207/002 , G11C2207/2254
Abstract: 本发明提供了一种可以正确地读出数据的半导体存储装置。主位线MBL1和主位线RMBL1的寄生电容分别等于Cmbl。而且，副位线DBL01和副位线DBL1n的寄生电容分别等于Cdbl256，副位线RDBL1和副位线DBL21的寄生电容分别等于Cdbl32。当读出存储单元MC的数据时，选择线驱动电路(50)选择选择线SEL00、SEL01以及选择线RSEL0、RSEL1之外，还选择选择线RDSEL11以及选择线SEL21。据此，与读出放大器(20)相连的主位线MBL1和RMBL1的合成寄生电容分别等于Cmb1+Cdbl256+Cdbl32。
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公开(公告)号：CN101640070A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910164907.0
申请日：2009-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能抑制程序操作时向存储单元施加接地电源时产生的因IR-DROP而导致的接地电压上升。针对与存储单元(MC)的源极和漏极连接的位线(MBL0)、(MBL1)，与接地端之间设置有放电晶体管(D0)、(D1)。放电晶体管(D0)、(D1)的栅极接收由DS解码驱动器(53)生成并输出的相互独立的放电控制信号(DS0)、(DS1)。存储单元(MC)的程序操作时，针对施加接地电压的位线(MBL0)，能够利用放电晶体管(D0)来设定接地电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100421180C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510059101.7
申请日：2005-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G11C16/02 , G11C16/06 , H01L27/115
CPC classification number: G11C29/36 , G11C16/04 , G11C16/3454 , G11C2029/3602
Abstract: 提供了一种能够增加在检查处理中执行的物理方格样式、逻辑方格样式等的写操作的速度的非易失性半导体存储器器件。根据控制信号TSE、TSO，将连接到偶数位线BL0、BL2的第一组写电路(30a、30c)和连接到奇数位线BL1、BL3的第二组写电路(30b、30d)分别控制为激活状态和未激活状态。通过对于第一页的程序操作、对于第二页的程序操作、以及第一和第二页的同时检验操作来执行物理方格样式的写操作，所述第一页的程序操作是在第一字线和第一组写电路被设定为激活状态时执行的，所述第二页的程序操作是在第二字线和第二组写电路被设定为激活状态时执行的，所述第一和第二页的同时检验操作是在第一和第二字线以及所有写电路被设定为激活状态时执行的。
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公开(公告)号：CN1292356C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN03122625.6
申请日：2003-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G06F12/14
CPC classification number: G06F12/1433 , G06F12/1466 , G11C16/22
Abstract: 本发明提供一种不需要新添设置动作模式、并且仅由极少的附加电路就可实现安全功能的非易失性半导体存储装置及其机密保护方法。使用执行非易失性半导体存储装置中预备的汇总写入动作(页面闩锁动作、页面程序动作、查证动作)的列闩锁电路(29)来实现安全功能。通过安全控制电路(41)的控制，在列闩锁电路(29)中保存解除安全功能用的密码，执行保存在列闩锁电路(29)中的密码与保存在解除代码保存部(13)中的安全解除代码的查证动作。在查证动作中判断密码与安全解除代码一致的情况下，执行安全功能的解除。
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公开(公告)号：CN1674157A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059101.7
申请日：2005-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
IPC: G11C16/02 , G11C16/06 , H01L27/115
CPC classification number: G11C29/36 , G11C16/04 , G11C16/3454 , G11C2029/3602
Abstract: 提供了一种能够增加在检查处理中执行的物理方格样式、逻辑方格样式等的写操作的速度的非易失性半导体存储器器件。根据控制信号TSE、TSO，将连接到偶数位线BL0、BL2的第一组写电路(30a、30c)和连接到奇数位线BL1、BL3的第二组写电路(30b、30d)分别控制为激活状态和未激活状态。通过对于第一页的程序操作、对于第二页的程序操作、以及第一和第二页的同时检验操作来执行物理方格样式的写操作，所述第一页的程序操作是在第一字线和第一组写电路被设定为激活状态时执行的，所述第二页的程序操作是在第二字线和第二组写电路被设定为激活状态时执行的，所述第一和第二页的同时检验操作是在第一和第二字线以及所有写电路被设定为激活状态时执行的。
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公开(公告)号：CN1542856A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410005949.7
申请日：2004-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 河野和幸
CPC classification number: G11C16/3481 , G11C16/12 , G11C16/3454
Abstract: 设置在每条位线或者多条位线上的写电路包括用于存储写入多个页面的数据的多个锁存电路，以及包括用于连接多个锁存电路和位线的位线连接电路，并且通过重复连续的编程操作以及连续的验证操作来对多个页面执行写操作，其中当电压生成电路连续地生成编程操作所需电压时，对多个页面连续地执行编程操作，当电压生成电路连续地生成验证操作所需电压时，连续地对多个页面执行验证操作。
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公开(公告)号：CN111542882A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880083668.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置具备：具有多个存储单元(10)的存储单元阵列、进行向存储单元(10)的写入的写入电路、以及控制电路。存储单元(10)具有：电阻变化型的非易失性的存储元件(12)、以及与其串联连接的单元晶体管(14)。写入电路具有：与单元晶体管(14)连接的源极线驱动电路(20)、以及与存储元件(12)连接的位线驱动电路(40)。控制电路在进行使存储元件(12)成为低电阻状态的写入动作的情况下，进行将第1电流值的电流流到存储元件(12)的控制，在此之后，进行将第2电流值的电流流到存储元件(12)的控制。第2电流值比存储元件(12)向低电阻状态的变化开始后的存储元件(12)的电流的过冲的最大值大。
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