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发明公开
半导体装置及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1893085A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100745.0

申请日：2006-07-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村成志 , 石仓聪 , 山田隆顺

IPC: H01L27/11 , H01L21/8244 , H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11

Abstract: 提供具有因为元件隔离区域的应力抑制了金属绝缘体半导体晶体管的特性变动的静态随机访问存储器的半导体装置及其制造方法。使第一存取晶体管(TrA1)的激活区域和衬底接触点区域(Rsub)从平面看成为一体地形成隔离绝缘膜(26)。并且，位于第一存取晶体管(TrA1)的激活区域和衬底接触点区域(Rsub)之间的半导体衬底(11)上形成虚设栅极电极(16c)。并将虚设栅极电极(16c)与衬底接触点区域(Rsub)的p型杂质区域(19)电连接。

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