半导体存储器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1119812C

    公开(公告)日:2003-08-27

    申请号:CN97190391.3

    申请日:1997-04-11

    CPC classification number: H01L27/11502 G11C11/22

    Abstract: 本发明揭示一种半导体存储器,包括将二极管(1)、(2)与单元板极线(30)、(40)上。因此,在进行再写入动作的场合,即使例如寄生电阻(3)存在于单元板极线(39),也能防止在成为数据丢失原因的单元板极线(39)暂时地转移到过渡的负电压(例如-1V以下)的过渡现象的发生。这种非易失性的半导体存储器在进行再写入动作的场合不会丢失存储器单元的逻辑电压“L”的数据、能进行稳定的动作。

    半导体存储器装置及其驱动装置

    公开(公告)号:CN1086836C

    公开(公告)日:2002-06-26

    申请号:CN94119246.6

    申请日:1994-12-23

    CPC classification number: G11C29/789

    Abstract: 一种半导体存储器装置包括:主体存储单元部;冗余存储单元部;由非易失性半导体存储器组成的、电气存储置换主体存储单元部中的失效存储单元的冗余存储单元地址的冗余地址数据单元部;控制电路部;冗余存储单元选择电路部。冗余存储单元选择电路部保持由冗余地址数据单元部读出的第1地址数据且把该第1地址数据与通过控制电路部输入的读出用或写入用的第2地址数据比较,从而选择主体存储单元部或冗余存储单元部。具有结构简单且能高速动作的优点。

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