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公开(公告)号：CN1115099A
公开(公告)日：1996-01-17
申请号：CN94113672.8
申请日：1994-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种半导体存储装置，其组成包括：位线，字线，单元平板电极，由MOS晶体管以及强电介质电容组成的存储单元，以及改变位线电容值的变动装置。此变动装置由与位线连接的开关元件和与该开关元件连接的电容构成。数据提供者与数据使用者之间预先设定的最大读出次数的读出动作结束后，通过使开关元件处于导通状态，将电容与位线连接，因而位线电容值变得不确切，无法读出正确的数据。
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公开(公告)号：CN1822228A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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公开(公告)号：CN1700473A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105 , G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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公开(公告)号：CN1096680C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN94113672.8
申请日：1994-10-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一种半导体存储装置，其组成包括：位线，字线，单元平板电极，由MOS晶体管以及强电介质电容组成的存储单元，以及改变位线电容值的变动装置。此变动装置由与位线连接的开关元件和与该开关元件连接的电容构成。数据提供者与数据使用者之间预先设定的最大读出次数的读出动作结束后，通过使开关元件处于导通状态，将电容与位线连接，因而位线电容值变得不确切，无法读出正确的数据。
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公开(公告)号：CN100501867C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610003714.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C11/4076 , G11C7/1051 , G11C7/1063 , G11C2207/229
Abstract: 提供一种与SRAM兼容并且能够进行高速数据传输操作同时保持数据可靠性的半导体存储器件。当外部芯片使能信号XCE执行下降转换时开始访问存储核心6。同时，接收外部写使能信号XWE和外部地址信号ADD，并且选择与所接收的外部地址信号ADD相应的存储核心6中的存储单元1。当完成从存储单元1读出数据或将数据写入存储单元1时，根据外部芯片使能信号XCE的上升转换或外部写使能信号XWE的上升转换激活重写定时器7，用于执行存储单元1的数据重写。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100437819C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510072630.0
申请日：2005-05-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电体存储装置，包括使用铁电体电容器存储数据的标准单元、产生基准电位的参考单元、把标准单元和基准电位的电位差放大的读出放大器、控制标准单元和参考单元和读出放大器的控制电路，把标准单元的字线(WL)非活性化，把第一铁电体电容器从第一位线(BL1)断开后，把位线预充电控制线活性化，通过驱动第一位线预充电电路(7)，把第一位线(BL1)放电。
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公开(公告)号：CN1117192A
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN94116280.X
申请日：1994-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: G11C7/1006
Abstract: 一种半导体存贮装置，包括多个存贮单元、将从该存贮单元读出的数据反相后再写入存贮单元的反相再写入构件，存贮有在再写入时是否将从存贮单元读出的数据作了反相的判定用数据存贮构件，根据来自判定用数据存贮器的输出判定是将从存贮单元读出的数据反相后输出或是不反相便输出的判定构件。利用这些构件能减少加于写入数据“1”的存贮单元电容器的电容绝缘膜上的应力，实现长寿命化。
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公开(公告)号：CN1129910C
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN95103487.1
申请日：1995-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种能正确判断数据并输出之的半导体存贮装置，它含有基准电位发生装置。该基准电位发生装置备有：2根信号线21、22；为给这两根信号线加电位而提供电荷的电荷供给装置23；连接于电荷供给装置和两信号线之间、通过第一控制信号分别提供电荷的第一连接装置24a、24b；连接于两信号线之间、通过第二控制信号将取决于供给的电荷量和各信号线的负载电容的电位平均后断开两信号线的第二连接装置25。
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公开(公告)号：CN1086836C
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：CN94119246.6
申请日：1994-12-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/34
CPC classification number: G11C29/789
Abstract: 一种半导体存储器装置包括：主体存储单元部；冗余存储单元部；由非易失性半导体存储器组成的、电气存储置换主体存储单元部中的失效存储单元的冗余存储单元地址的冗余地址数据单元部；控制电路部；冗余存储单元选择电路部。冗余存储单元选择电路部保持由冗余地址数据单元部读出的第1地址数据且把该第1地址数据与通过控制电路部输入的读出用或写入用的第2地址数据比较，从而选择主体存储单元部或冗余存储单元部。具有结构简单且能高速动作的优点。
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公开(公告)号：CN1117643A
公开(公告)日：1996-02-28
申请号：CN95103487.1
申请日：1995-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种能正确判断数据并输出之的半导体存贮装置，它含有基准电位发生装置。该基准电位发生装置备有：2根信号线21、22；为给这两根信号线加电位而提供电荷的电荷供给手段23；连接于电荷供给手段和两信号线之间、通过第一控制信号分别提供电荷的第一连接手段24a、24b；连接于两信号线之间、通过第二控制信号将取决于供给的电荷量和各信号线的负载电容的电位平均后断开两信号线的第二连接手段25。
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