-
公开(公告)号：CN101455127B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200780019833.0
申请日：2007-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 将第一惰性气体(5)供给到反应空间(1)中并且高频电源(4)施加高频电场以便从反应空间喷射由已成为等离子体的第一惰性气体构成的初级等离子体(6)。形成其中混合气体(8)具有作为主要成分的第二惰性气体(12)和相混合的适量活性气体(13)的混合气体区(10)。初级等离子体碰撞到混合气体区以产生由已成为等离子体的混合气体构成的二次等离子体(11)，接着将二次等离子体喷雾到处理对象(S)上以进行等离子体处理。因此，通过由小输入功率产生的大气压等离子体可以在宽泛范围内进行等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN101455127A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019833.0
申请日：2007-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/24
Abstract: 将第一惰性气体(5)供给到反应空间(1)中并且高频电源(4)施加高频电场以便从反应空间喷射由已成为等离子体的第一惰性气体构成的初级等离子体(6)。形成其中混合气体(8)具有作为主要成分的第二惰性气体(12)和相混合的适量活性气体(13)的混合气体区(10)。初级等离子体碰撞到混合气体区以产生由已成为等离子体的混合气体构成的二次等离子体(11)，接着将二次等离子体喷雾到处理对象(S)上以进行等离子体处理。因此，通过由小输入功率产生的大气压等离子体可以在宽泛范围内进行等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN101473707B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780023113.1
申请日：2007-06-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05H1/24 , B23K11/0006 , B23K20/10 , B23K35/38 , B23K35/383 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2221/68313 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/75743 , H01L2224/81009 , H01L2224/81013 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/3489 , H05K2203/0195 , H05K2203/082 , H05K2203/086 , H05K2203/095
Abstract: 根据本发明的电极结合方法包括：等离子体清洁步骤，用大气压等离子体(8)辐射诸如半导体器件之类的元件(1)和基底(10)中的至少一个的被清洁的电极表面(3)从而进行清洁；惰性气体氛围保持步骤，在大气压等离子体(8)的辐射结束之前，用第一惰性气体(4)覆盖被清洁的电极表面(3)及其附近，并在此后还保持该状态；以及结合步骤，在惰性气体氛围保持步骤结束之前，结合元件(1)的电极和基底(10)上的电极。电极表面(3)由此进行等离子体清洁，而没有损坏待结合到基底(10)上的元件(1)的可能性，在结合电极时保持该清洁状态，以提供高结合力和高可能性的结合状态。
-
公开(公告)号：CN101473707A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023113.1
申请日：2007-06-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05H1/24 , B23K11/0006 , B23K20/10 , B23K35/38 , B23K35/383 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2221/68313 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/75743 , H01L2224/81009 , H01L2224/81013 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/3489 , H05K2203/0195 , H05K2203/082 , H05K2203/086 , H05K2203/095
Abstract: 根据本发明的电极结合方法包括：等离子体清洁步骤，用大气压等离子体(8)辐射诸如半导体器件之类的元件(1)和基底(10)中的至少一个的被清洁的电极表面(3)从而进行清洁；惰性气体氛围保持步骤，在大气压等离子体(8)的辐射结束之前，用第一惰性气体(4)覆盖被清洁的电极表面(3)及其附近，并在此后还保持该状态；以及结合步骤，在惰性气体氛围保持步骤结束之前，结合元件(1)的电极和基底(10)上的电极。电极表面(3)由此进行等离子体清洁，而没有损坏待结合到基底(10)上的元件(1)的可能性，在结合电极时保持该清洁状态，以提供高结合力和高可能性的结合状态。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.028 seconds)
