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公开(公告)号：CN103155117B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201180048666.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: B44C1/227 , H01L21/67069 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L33/005
Abstract: 本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质，这些工序为：基板载置工序，将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上，并且将基板载置于各个基板保持部上，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，使腔室内减压并且供给处理气体，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。
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公开(公告)号：CN103155117A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048666.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: B44C1/227 , H01L21/67069 , H01L21/68742 , H01L21/68771 , H01L33/005
Abstract: 本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质，这些工序为：基板载置工序，将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上，并且将基板载置于各个基板保持部上，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，使腔室内减压并且供给处理气体，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。
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公开(公告)号：CN101473707B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780023113.1
申请日：2007-06-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05H1/24 , B23K11/0006 , B23K20/10 , B23K35/38 , B23K35/383 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2221/68313 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/75743 , H01L2224/81009 , H01L2224/81013 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/3489 , H05K2203/0195 , H05K2203/082 , H05K2203/086 , H05K2203/095
Abstract: 根据本发明的电极结合方法包括：等离子体清洁步骤，用大气压等离子体(8)辐射诸如半导体器件之类的元件(1)和基底(10)中的至少一个的被清洁的电极表面(3)从而进行清洁；惰性气体氛围保持步骤，在大气压等离子体(8)的辐射结束之前，用第一惰性气体(4)覆盖被清洁的电极表面(3)及其附近，并在此后还保持该状态；以及结合步骤，在惰性气体氛围保持步骤结束之前，结合元件(1)的电极和基底(10)上的电极。电极表面(3)由此进行等离子体清洁，而没有损坏待结合到基底(10)上的元件(1)的可能性，在结合电极时保持该清洁状态，以提供高结合力和高可能性的结合状态。
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公开(公告)号：CN101473707A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023113.1
申请日：2007-06-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05H1/24 , B23K11/0006 , B23K20/10 , B23K35/38 , B23K35/383 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2221/68313 , H01L2224/75 , H01L2224/75302 , H01L2224/75743 , H01L2224/81009 , H01L2224/81013 , H01L2224/81054 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H05K3/3489 , H05K2203/0195 , H05K2203/082 , H05K2203/086 , H05K2203/095
Abstract: 根据本发明的电极结合方法包括：等离子体清洁步骤，用大气压等离子体(8)辐射诸如半导体器件之类的元件(1)和基底(10)中的至少一个的被清洁的电极表面(3)从而进行清洁；惰性气体氛围保持步骤，在大气压等离子体(8)的辐射结束之前，用第一惰性气体(4)覆盖被清洁的电极表面(3)及其附近，并在此后还保持该状态；以及结合步骤，在惰性气体氛围保持步骤结束之前，结合元件(1)的电极和基底(10)上的电极。电极表面(3)由此进行等离子体清洁，而没有损坏待结合到基底(10)上的元件(1)的可能性，在结合电极时保持该清洁状态，以提供高结合力和高可能性的结合状态。
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