公开(公告)号：CN100521206C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200510125010.9

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 清家守 ,  井上征宏

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0921 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种驱动电路和数据线驱动器，它们能够在保持芯片尺寸较小的同时通过使用常规CMOS工艺来提高对邻接晶体管之间的噪声容错度，因为高密度N型扩散层(116)提供在隔离区(115)中以最小化寄生NPN晶体管(102)的集电极电流。

公开(公告)号：CN1773706A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510125010.9

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 清家守 ,  井上征宏

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0921 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种驱动电路和数据线驱动器，它们能够在保持芯片尺寸较小的同时通过使用常规CMOS工艺来提高对邻接晶体管之间的噪声容错度，因为高密度N型扩散层(116)提供在隔离区(115)中以最小化寄生NPN晶体管(102)的集电极电流。

公开(公告)号：CN1667837A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510052769.9

申请日：2005-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木光浩 ,  森永实 ,  井上征宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 漏极扩散层(11b)包括低杂质浓度区(5a)和高杂质浓度区(5b)，并且低杂质浓度区(5a)位于沟道区的一侧上。在该沟道区中，在远离该低杂质浓度区(5a)一距离(T)的位置上，形成具有与该漏极扩散层(11b)相反的导电类型的杂质层(7)。可选择地，将低杂质浓度区(5a)和杂质层(7)设置成彼此接触。仍可选择地，在低杂质浓度区(5a)和杂质层(7)之间提供边界杂质层。这样，可以提供一种包括高压晶体管的半导体器件及其制造方法，该半导体器件能够抑制电流驱动能力的降低和进行稳定的驱动。

公开(公告)号：CN1193429C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01111383.9

申请日：2001-01-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上征宏

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7833

Abstract: 半导体器件包括：在一导电型区域上的预定区域中形成的晶体管的栅绝缘膜；形成在栅绝缘膜上的晶体管的栅电极；在一导电型区域上且形成在栅绝缘膜两侧的另一导电型的扩散层；在一导电型区域上且可包围栅绝缘膜和另一导电型的扩散层那样来形成的比一导电型区域的杂质浓度高的一导电型的扩散层。在这样的半导体器件中，一导电型的扩散层与栅绝缘膜分开形成。由此，在晶体管导通状态下发生的与沟道区域的反型层(栅绝缘膜下的另一导电型的反型层)形成PN结的是比一导电型的扩散层浓度更低的一导电型区域。