公开(公告)号：CN1667837A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510052769.9

申请日：2005-03-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 铃木光浩 ,  森永实 ,  井上征宏

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 漏极扩散层(11b)包括低杂质浓度区(5a)和高杂质浓度区(5b)，并且低杂质浓度区(5a)位于沟道区的一侧上。在该沟道区中，在远离该低杂质浓度区(5a)一距离(T)的位置上，形成具有与该漏极扩散层(11b)相反的导电类型的杂质层(7)。可选择地，将低杂质浓度区(5a)和杂质层(7)设置成彼此接触。仍可选择地，在低杂质浓度区(5a)和杂质层(7)之间提供边界杂质层。这样，可以提供一种包括高压晶体管的半导体器件及其制造方法，该半导体器件能够抑制电流驱动能力的降低和进行稳定的驱动。