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    半导体装置及其制造方法
    2.
    发明公开
    半导体装置及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1494127A

    公开(公告)日：2004-05-05

    申请号：CN03160250.9

    申请日：2003-09-28

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 今出昌宏 ,  海本博之

    IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/78

    Abstract: 本发明提供一种可以降低由于结晶缺陷而引起的漏电流的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有在半导体基板(11)的元件形成区域(Re)上设置的MISFET和包围元件形成区域(Re)侧面的沟槽元件分离部(13)，从沟槽元件分离部(13)的上方一直延伸到元件形成区域(Re)中沟槽元件分离部(13)相邻部分的上面，设置氧气通过抑制膜(23)。氧气通过抑制膜(23)由氧气难以穿过的氮化硅等构成。由此，半导体基板(11)的元件形成区域(Re)的上缘部就不容易被氧化，因而可以使该上缘部的体积膨胀得到抑制，降低应力。

    半导体装置及其制造方法
    3.
    发明授权
    半导体装置及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100367497C

    公开(公告)日：2008-02-06

    申请号：CN03147656.2

    申请日：2003-07-15

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 今出昌宏 ,  海本博之 ,  宫田里江

    IPC: H01L23/60 ,  H01L21/822

    CPC classification number: H01L23/62 ,  H01L27/0266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 一种半导体装置，设置着具有半导体基板(11)、源极区(16)、漏极区(17)、栅电极(19)的N型MISFET(12)，在半导体基板(11)上设置着覆盖N型MISFET(12)的第1层间绝缘膜(13)、第2层间绝缘膜(14)、第3层间绝缘膜(15)。在第1层间绝缘膜(13)上，介有第2层间绝缘膜(14)的一部分而平行设置着旨在将栅电极(19)与外部电连接的第2栅极布线(25)和旨在将漏极区与外部电连接的第1漏极布线(26)。从而可提供静电保护能力高的半导体装置及其制造方法。

    半导体器件
    4.
    发明公开
    半导体器件 无效

    公开(公告)号：CN101083285A

    公开(公告)日：2007-12-05

    申请号：CN200710108821.7

    申请日：2007-05-31

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 今出昌宏

    IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04

    Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底的主表面形成的器件有源部分；在所述半导体衬底的主表面形成的、以围绕所述器件有源部分的外围的器件隔离部分；层叠在所述器件有源部分上的绝缘膜；以及层叠在所述绝缘膜上的栅电极；其中，所述器件有源部分包括：沿栅极长度方向彼此相对地设置的源极区和漏极区；以及置于所述源极区和所述漏极区之间，并且与所述源极区和漏极区呈现不同导电类型的沟道区；所述沟道区包括：连接所述源极区和所述漏极区，并且具有近似矩形形状的中心区；以及沿栅极宽度方向从所述中心区的一侧端凸出的凸出区；以及当沿所述迭层方向观看时，所述沟道区位于从所述栅电极向内的方向。

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