公开(公告)号：CN102324419B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110302929.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN101290912B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810083557.0

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN102324419A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110302929.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN101290912A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810083557.0

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。