公开(公告)号：CN101728349A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910204660.0

申请日：2009-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田行俊 ,  平野博茂 ,  伊藤豊 ,  小池功二

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L22/32 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，即使将布线层变薄时也能够在电极焊盘形成区域中确实防止布线层消失，能稳定电连接布线层与电极焊盘。在半导体基板(1)上的第4层间绝缘膜(10)中形成多个接触用布线(11B)。在各接触用布线(11B)上和第4层间绝缘膜(10)上形成第1保护绝缘膜(12)，在第1保护绝缘膜(12)上形成露出各接触用布线(11B)的第1开口部(12a)。在第1开口部(12a)的内部经由壁垒金属膜(13)形成与接触用布线(11B)电连接的电极焊盘(14)。在第1开口部(12a)的下侧存在未配置接触用布线(11B)的区域。

公开(公告)号：CN101290912B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810083557.0

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN102324419A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110302929.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN101290912A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810083557.0

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN102324419B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110302929.6

申请日：2008-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹村康司 ,  平野博茂 ,  伊藤丰 ,  佐野光 ,  小池功二

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。其目的在于：通过防止因切割晶片时在芯片侧面所产生的碎片和破损等传播到芯片区域内，来防止半导体装置的可靠性及耐湿性的下降。在形成在基板(101)上的层间绝缘膜(105)及(107)形成有连续围绕芯片区域(102)的密封环(104)。在层间绝缘膜(107)上形成有从芯片区域(102)来看在密封环(104)外侧具有开口部(131)的第一钝化膜(109)。

公开(公告)号：CN101373755A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810214200.1

申请日：2008-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平野博茂 ,  竹村康司 ,  小池功二

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路，其实现布线的低电阻化，具备可以抑制电压降的布线构造。半导体集成电路的电源布线构造具备由沿着第1方向延伸而形成的多个布线(1D)以及(1S)构成的布线层(1)；在布线层(1)上，由沿着与第1方向垂直的方向即第2方向延伸而形成的多个布线(2D)以及(2S)构成的布线层(2)；和在布线层(2)上，由沿着与第2方向相同的方向延伸而形成的多个布线(4D)以及(4S)构成的布线层4。