公开(公告)号：CN1497678A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03127235.5

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一郎

IPC: H01L21/223

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32412

Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，一边由供气装置将规定的气体输入真空容器内，一边用泵排气，将真空容器内保持在规定的压力的同时由高频电源向线圈施加高频功率。在真空容器内产生等离子体后，降低真空容器内的压力，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，慢慢减小真空容器内的压力的同时慢慢增大高频功率，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，高速采集向试样电极供给的高频功率的行进波功率Pf及反射波功率Pr，在功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。