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公开(公告)号：CN101160643B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200680012508.7
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
Abstract: 本发明提供了一种等离子体掺入方法，即使在等离子体处理重复时，每次可以实现从膜到硅基板的相同剂量。在该等离子体掺入方法中，样品安装在真空容器内的样品电极上，且等离子体在真空容器内产生以允许等离子体内的杂质离子碰撞到样品表面且因此在样品表面上形成杂质掺入层。该等离子体掺入方法包括提供真空容器的维护步骤，该真空容器具有设有包含上述杂质的膜的内壁，该膜起作用使得由于等离子体中离子轰击固定于该真空容器内壁上的该包含杂质的膜通过溅射引入样品表面内的杂质的数量保持不变，即使当该包含杂质离子的等离子体在真空容器内重复产生时；将该样品安装于样品电极上的步骤；以及施加该包含杂质离子的等离子体从而将杂质离子注入该样品，以及通过溅射固定到该真空容器内壁的包含杂质的膜而将该杂质引入样品的步骤。
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公开(公告)号：CN100555574C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510092358.2
申请日：2005-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223
Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。
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公开(公告)号：CN100517573C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580018635.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/0276
Abstract: 一种掺入杂质的方法包括：通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体，以形成杂质掺入区域的步骤；在该固态基体上形成起着降低光反射的功能的抗光反射膜的步骤；测量杂质掺入区域的光学特性和厚度的步骤；基于所述测量的光学特性和厚度选择所述抗光反射层的步骤；以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。
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公开(公告)号：CN100511599C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200680010338.9
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01J2237/3342 , H01L21/2236 , H01L22/12
Abstract: 一种实现高产量的灰化设备和方法，其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测，以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质，其特征在于包括偏振光椭圆计，用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光，来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。
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公开(公告)号：CN100454491C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480029733.2
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101286448A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710127002.7
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN101160643A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012508.7
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
Abstract: 本发明提供了一种等离子体掺入方法，即使在等离子体处理重复时，每次可以实现从膜到硅基板的相同剂量。在该等离子体掺入方法中，样品安装在真空容器内的样品电极上，且等离子体在真空容器内产生以允许等离子体内的杂质离子碰撞到样品表面且因此在样品表面上形成杂质掺入层。该等离子体掺入方法包括提供真空容器的维护步骤，该真空容器具有设有包含上述杂质的膜的内壁，该膜起作用使得由于等离子体中离子轰击固定于该真空容器内壁上的该包含杂质的膜通过溅射引入样品表面内的杂质的数量保持不变，即使当该包含杂质离子的等离子体在真空容器内重复产生时；将该样品安装于样品电极上的步骤；以及施加该包含杂质离子的等离子体从而将杂质离子注入该样品，以及通过溅射固定到该真空容器内壁的包含杂质的膜而将该杂质引入样品的步骤。
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公开(公告)号：CN100373549C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03160202.9
申请日：2003-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明的掺杂装置具有其中限定有室的真空容器。该容器具有由电介质材料制成的一个半圆形穹顶部分，该部分具有将被掺杂在基片中的杂质，基片设在室中。所述装置还包括：等离子体源，其通过形成穿过容器的所述部分的电场来在室中产生等离子体，使等离子体中的离子撞击容器的所述部分，以将杂质从容器的所述部分中取出并进入到室中，其中，所述等离子体源具有围在半圆形穹顶部分周围的线圈或天线以及第一功率源，所述第一功率源用来向线圈或天线的一端施加高频功率，从而在室中产生等离子体；磁性线圈，其设置在线圈或天线的周围，用来产生通过半圆形穹顶部分并朝向基片的磁场；以及第二功率源，其与磁性线圈电气连接，以向磁性线圈施加电流。
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公开(公告)号：CN101086964A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710127001.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/263 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。
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公开(公告)号：CN1868035A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029733.2
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/268
Abstract: 一种形成浅结的方法，其步骤简单，并且具有高精确度和高生产量。建立适于所要施加的电磁波的波长的衬底表面状态。之后，施加电磁波对杂质进行电激活，从而使激励能量在杂质薄膜中得到有效吸收。因此，有效形成了浅结。
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