公开(公告)号：CN101174554A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710193455.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松原俊夫 ,  上田聪 ,  佐藤宏行 ,  内岛秀人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理器件，能够抑制由于反应生成物附着在化学气相成长器件等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜的膜厚度均匀性变差。包括：能够减压的反应室；设置在反应室内的衬底支撑部；设置在反应室的壁部、向反应室的内部导入气体的气体导入口；以及设置在反应室内的衬底支撑部和气体导入口之间、具有将从气体导入口向反应室内导入的气体分散的多个孔的板；多个孔的每个孔中的、气体的入口侧的尺寸均大于气体的出口侧的尺寸；多个孔的每个孔的内壁面的至少一部分相对于气体的流动方向的倾斜角度小于等于45°。

公开(公告)号：CN1638026A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410098296.1

申请日：2004-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松原俊夫 ,  上田聪 ,  佐藤宏行 ,  内岛秀人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  B08B7/02 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565

Abstract: 本发明公开了一种衬底处理器件及其清洗方法。本发明的目的在于：抑制由于反应生成物附着在化学气相成长器件等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜的膜厚度均匀性变差。在反应室101的内部设置有兼作成膜用气体淋浴器的上部电极103。上部电极103由挡板104和平面板105构成。其中，挡板104具有分散导入反应室101内的气体的孔104a，平面板105具有更进一步地分散被挡板104分散的气体的孔105a。在进行反应生成物的清洗时，通过使用机构105b使两板之间的间隔变大并在两板之间施加高频电压，来产生由清洗气体113构成的等离子体114。

公开(公告)号：CN100501911C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510108581.1

申请日：2005-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松原俊夫 ,  佐藤宏行 ,  内岛秀人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23C16/45565

Abstract: 本发明公开了一种气体扩散板。在气体扩散板(9)上设有多个让处理衬底时所用的处理气体通过的通孔。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。若使用装有该气体扩散板(9)的衬底处理装置，便能够在气体扩散板内均匀地供给处理气体。故能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。

公开(公告)号：CN100492587C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510108591.5

申请日：2005-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松原俊夫 ,  佐藤宏行 ,  内岛秀人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  C30B25/14 ,  C30B33/12

CPC classification number: C23C16/45565

Abstract: 本发明公开了一种衬底处理装置和衬底处理方法。衬底处理装置包括：能够减压的反应室、具有形成有通孔(10)、(11’)、(11)的气体扩散板(9)且将处理气体供到反应室内部的喷头以及用以设置衬底的衬底支承部。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。因为若使用该装置，便能将处理气体均匀地供到气体扩散板内，所以能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。因此，提供的是一种能够在晶片面内均匀地进行衬底处理的衬底处理装置及衬底处理方法。

公开(公告)号：CN100388414C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200410098296.1

申请日：2004-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松原俊夫 ,  上田聪 ,  佐藤宏行 ,  内岛秀人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  B08B7/02 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理器件的清洗方法，能够抑制由于反应生成物附着在化学气相成长器件等中的成膜用气体淋浴器的气体孔内壁等，而造成的气体孔直径在每次重复进行成膜处理时变窄的现象，防止所形成的膜的膜厚度均匀性变差。在反应室(101)的内部设置有兼作成膜用气体淋浴器的上部电极(103)。上部电极由挡板(104)和平面板(105)构成。其中，挡板104具有分散导入反应室内的气体的孔(104a)，平面板具有更进一步地分散被挡板分散的气体的孔(105a)。在进行反应生成物的清洗时，通过使用机构(105b)使两板之间的间隔变大并在两板之间施加高频电压，来产生由清洗气体(113)构成的等离子体(114)。

公开(公告)号：CN1763913A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510108591.5

申请日：2005-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松原俊夫 ,  佐藤宏行 ,  内岛秀人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  C30B25/14 ,  C30B33/12

CPC classification number: C23C16/45565

Abstract: 本发明公开了一种衬底处理装置和衬底处理方法。衬底处理装置包括：能够减压的反应室、具有形成有通孔(10)、(11’)、(11)的气体扩散板(9)且将处理气体供到反应室内部的喷头以及用以设置衬底的衬底支承部。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。因为若使用该装置，便能将处理气体均匀地供到气体扩散板内，所以能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。因此，提供的是一种能够在晶片面内均匀地进行衬底处理的衬底处理装置及衬底处理方法。

公开(公告)号：CN1763912A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510108581.1

申请日：2005-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 松原俊夫 ,  佐藤宏行 ,  内岛秀人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

CPC classification number: C23C16/45565

Abstract: 本发明公开了一种气体扩散板。在气体扩散板(9)上设有多个让处理衬底时所用的处理气体通过的通孔。设在气体扩散板(9)的周边区域的通孔(11’)、(11)，其入口部分的面积大于出口部分的面积。若使用装有该气体扩散板(9)的衬底处理装置，便能够在气体扩散板内均匀地供给处理气体。故能够均匀地进行膜沉积、膜蚀刻等衬底处理。