公开(公告)号：CN1969365B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200580019295.6

申请日：2005-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤裕之 ,  作道训之 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G21K1/14 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/26513 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种电荷中和装置，其能够提供5eV水平或者更低优选地为2eV水平的低能量电子，从而消除甚至是前线装置中的离子植入的充电和电子导致的损害，并且适用于大尺寸的基片(113)。电荷中和装置包括微波发生装置(104)；等离子发生装置(101)，其利用微波发生装置产生的微波产生电子等离子；和接触装置(107)，其使等离子发生装置产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触。

公开(公告)号：CN1969365A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580019295.6

申请日：2005-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤裕之 ,  作道训之 ,  佐佐木雄一朗 ,  水野文二

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G21K1/14 ,  H01J37/026 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/26513 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种电荷中和装置，其能够提供5eV水平或者更低优选地为2eV水平的低能量电子，从而消除甚至是前线装置中的离子植入的充电和电子导致的损害，并且适用于大尺寸的基片(113)。电荷中和装置包括微波发生装置(104)；等离子发生装置(101)，其利用微波发生装置产生的微波产生电子等离子；和接触装置(107)，其使等离子发生装置产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触。