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公开(公告)号：CN102272905B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200980153637.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66803 , H01L29/7854
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在形成在衬底(11)上的鳍式半导体区域(13)的两侧部设置有延伸区域(17)。该半导体装置形成有跨越鳍式半导体区域(13)并与延伸区域(17)相邻的栅电极(15)。在与栅电极(15)相邻的区域的鳍式半导体区域(13)的上部形成有具有比延伸区域(17)高的电阻率的电阻区域(37)。
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公开(公告)号：CN101542743B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880000598.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN101258786B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200680032251.1
申请日：2006-09-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备引入真空容器时，该真空容器通过排气孔藉由作为排气装置的涡轮分子泵被排气，且通过压力调节阀在真空容器内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源供应到置为与样品电极对立的介电质窗口附近的线圈，由此在真空容器内产生感应耦合等离子体。介电质窗口是由多个介电质板组成，且槽形成于相互对立的至少两个介电质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成，且设置于最靠近样品电极的介电质板内的气体排出口被允许连通介电质窗口内的槽。从气体排出口引入的气体的流速可以独立地被控制，且处理的均匀性可以提高。
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公开(公告)号：CN101601138B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200880002383.9
申请日：2008-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66803 , H01L29/78621
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在支撑衬底(11)上形成有具有上面及侧面的鳍式半导体区域(13a-13d)。在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的上部形成有第一杂质区域(17a)，在各个鳍式半导体区域(13a-13d)的侧部形成有第二杂质区域(17b)。第二杂质区域(17b)的比电阻小于或等于第一杂质区域(17a)的比电阻。
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公开(公告)号：CN1969365B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580019295.6
申请日：2005-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/20 , H01J37/317 , H01L21/265 , H05H1/24
CPC classification number: H01J37/3171 , G21K1/14 , H01J37/026 , H01J2237/0044 , H01L21/26513 , H05H1/46
Abstract: 提供了一种电荷中和装置，其能够提供5eV水平或者更低优选地为2eV水平的低能量电子，从而消除甚至是前线装置中的离子植入的充电和电子导致的损害，并且适用于大尺寸的基片(113)。电荷中和装置包括微波发生装置(104)；等离子发生装置(101)，其利用微波发生装置产生的微波产生电子等离子；和接触装置(107)，其使等离子发生装置产生的电子等离子与包括离子束的射束等离子区域接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101542743A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000598.7
申请日：2008-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7854 , H01L29/66803
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在鳍形半导体区域的半导体装置中能够获得所要的特性。使栅极绝缘膜(62)形成为跨过在上部具有杂质区域(61a)和在侧部具有杂质区域(61b)的鳍形半导体区域(61)。在位于栅极绝缘膜(62)外侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r′大于位于栅极绝缘膜(62)下侧部分的鳍形半导体区域(61)的上部角的曲率半径r、并且为2r以下。
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公开(公告)号：CN100539029C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200680010228.2
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412 , H01J37/32458 , H01J37/32623 , H01J37/32633
Abstract: 本发明的目的是提供在导入到样品的表面的杂质的浓度均匀性方面优秀的等离子掺杂方法，和能均匀地进行样品的等离子处理的等离子处理装置。在根据本发明的等离子掺杂装置中，用作为排放装置的涡轮分子泵(3)经由排气口(11)将真空室(1)抽空，同时从气体供应装置(2)导入预定的气体，以使用调压阀(4)使真空室(1)的内部保持预定的压力。13.56MHz的高频电由高频电源(5)供应到线圈(8)，以在真空室(1)内产生感应耦合等离子体，所述线圈设置在与样品电极(6)相对的介电窗(7)的附近。将高频电供应到样品电极(6)的高频电源(10)被设置。通过驱动活门(18)和盖住贯通门(16)，处理的均匀性得到增强。
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公开(公告)号：CN100495073C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580004556.7
申请日：2005-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01T1/29 , G01R33/035 , G21K5/00 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01L21/027
CPC classification number: H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供了束流测量装置，用于高精度地、非破坏性地测量束电流值，并用于测量束流位置。该束流测量装置有：磁屏蔽部件，用于外部磁场屏蔽；以及多个磁场传感器，被布置在由磁屏蔽部件生成的屏蔽空间中。磁场传感器有多个磁场收集机构，用来收集要测量的束电流所生成的磁场。磁场收集机构是管状结构，其表面由超导体构成，并且，在磁场收集机构的外围部分上提供仅其一部分由超导体形成的桥部件。通过磁传感器来测量要测量的束电流所生成的磁场。束流测量装置有多个磁场传感器，以便检测束流位置和束电流。
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公开(公告)号：CN100437912C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200480024667.X
申请日：2004-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/2236
Abstract: 本发明提供一种杂质导入层的形成方法，其至少具有：在硅基极等固体基体的一个主面上形成抗蚀剂图案的工序(S27)；通过离子模式的等离子体掺杂将杂质导入固体基体的工序(S23)；除去抗蚀剂的工序(S28)；清洗固体基体表面的金属污染、粒子的工序(S25a)；和热处理工序(S26)，除去抗蚀剂的工序(S28)向抗蚀剂进行氧等离子体照射(S28a)或者使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂接触。清洗工序(S25a)使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与固体基体的一个主面接触，另外，除去抗蚀剂的工序(S28)和清洗工序(S25a)通过使硫酸和过氧化氢水溶液的混合溶液或NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液与抗蚀剂和固体基体的一个主面接触而同时进行。
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公开(公告)号：CN1856864A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200480027712.7
申请日：2004-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明实现杂质引入而不引起基板温度上升。杂质引入步骤期间形成的晶格缺陷的物理性质被光学测量和控制从而它们对于后续步骤变得最优。杂质引入方法包括：引入杂质到固态基体的表面中的步骤；测量杂质被引入的区域的光学特性的步骤；根据所测量的杂质引入区域的光学特性确定退火条件的步骤；以及在如此确定的退火条件下退火该杂质引入区域的步骤。
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