公开(公告)号：CN1505103A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310120769.9

申请日：2003-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈村秀亮 ,  山口峰生 ,  佐佐木智幸

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在由硅构成的半导体基板(1)上，形成硅氧化膜(2)。再在硅氧化膜(2)上形成含碳的抗蚀剂膜。然后对该抗蚀剂膜进行布图，形成抗蚀剂图形(3)。接着将抗蚀剂图形(3)置放在二氧化硫气体中，然后以在二氧化硫气体中置放过的抗蚀剂图形(3)作为掩模，对硅氧化膜(2)进行干蚀刻。从而能杜绝抗蚀剂倾倒，实现微小的图形。

公开(公告)号：CN1296968C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200310120769.9

申请日：2003-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈村秀亮 ,  山口峰生 ,  佐佐木智幸

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/31144

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在由硅构成的半导体基板(1)上，形成硅氧化膜(2)。再在硅氧化膜(2)上形成含碳的抗蚀剂膜。然后对该抗蚀剂膜进行布图，形成抗蚀剂图形(3)。接着将抗蚀剂图形(3)置放在二氧化硫气体中，然后以在二氧化硫气体中置放过的抗蚀剂图形(3)作为掩模，对硅氧化膜(2)进行干蚀刻。从而能杜绝抗蚀剂倾倒，实现微小的图形。