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公开(公告)号：CN1505103A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310120769.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/31144
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在由硅构成的半导体基板(1)上，形成硅氧化膜(2)。再在硅氧化膜(2)上形成含碳的抗蚀剂膜。然后对该抗蚀剂膜进行布图，形成抗蚀剂图形(3)。接着将抗蚀剂图形(3)置放在二氧化硫气体中，然后以在二氧化硫气体中置放过的抗蚀剂图形(3)作为掩模，对硅氧化膜(2)进行干蚀刻。从而能杜绝抗蚀剂倾倒，实现微小的图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1107342C
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN97192931.9
申请日：1997-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/31138 , H01L21/32139
Abstract: 一种图案形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后，在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂图案(15)，以抗蚀剂图案(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻、形成防反射膜图案，用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂图案形成的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN1296968C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200310120769.9
申请日：2003-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/0274 , H01L21/31144
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在由硅构成的半导体基板(1)上，形成硅氧化膜(2)。再在硅氧化膜(2)上形成含碳的抗蚀剂膜。然后对该抗蚀剂膜进行布图，形成抗蚀剂图形(3)。接着将抗蚀剂图形(3)置放在二氧化硫气体中，然后以在二氧化硫气体中置放过的抗蚀剂图形(3)作为掩模，对硅氧化膜(2)进行干蚀刻。从而能杜绝抗蚀剂倾倒，实现微小的图形。
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公开(公告)号：CN1213456A
公开(公告)日：1999-04-07
申请号：CN97192931.9
申请日：1997-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/091 , H01L21/31138 , H01L21/32139
Abstract: 一种模样形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后,在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂模样(15),以抗蚀剂模样(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻、形成防反射膜模样,用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干式蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂模样形成的模样形成方法。
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公开(公告)号：CN1883020B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200480034059.7
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G5/0136 , H01G5/16 , H01G7/025 , H04R19/016 , H04R2499/11
Abstract: 以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。
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公开(公告)号：CN1883020A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034059.7
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G5/0136 , H01G5/16 , H01G7/025 , H04R19/016 , H04R2499/11
Abstract: 以覆盖成为驻极体的带电氧化硅膜105的方式，来形成氮化硅膜103及氮化硅膜106。
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