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公开(公告)号：CN103052992A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280001208.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C29/50 , G11C2029/5006 , G11C2213/72
Abstract: 提供一种能够稳定动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），读取电路（206），若在所选择的存储单元中流过规定值以上的电流，则判定为所选择的存储单元是具有短路故障的故障存储单元，写入电路（205），对在与故障存储单元相同的位线上及字线上的至少某个上配置的故障存储单元以外的其它存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使得将其它存储单元的电阻变化元件设置为表示出第1高电阻状态的电阻值以上的电阻值的第2高电阻状态。
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公开(公告)号：CN102834872A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180017639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/003 , G11C29/50008 , G11C2213/15
Abstract: 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。
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公开(公告)号：CN101159264B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200710162930.7
申请日：2007-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 友谷裕司
IPC: H01L27/02 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/11807
Abstract: 抑制具有宏单元的半导体集成电路的面积。半导体集成电路，具有：含有多个电路元件的宏单元；供给上述宏单元第一电位的第一宏单元用电源布线；设置在与上述第一宏单元用电源布线同一布线层中，供给上述宏单元第二电位的第二宏单元用电源布线。上述第一及第二宏单元用电源布线，设置在上述宏单元上，上述第二宏单元用电源布线，设置为沿上述第一宏单元用电源布线的长边方向即第一方向延伸。
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公开(公告)号：CN103052992B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201280001208.4
申请日：2012-04-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C29/50 , G11C2029/5006 , G11C2213/72
Abstract: 提供一种能够稳定动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），读取电路（206），若在所选择的存储单元中流过规定值以上的电流，则判定为所选择的存储单元是具有短路故障的故障存储单元，写入电路（205），对在与故障存储单元相同的位线上及字线上的至少某个上配置的故障存储单元以外的其它存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使得将其它存储单元的电阻变化元件设置为表示出第1高电阻状态的电阻值以上的电阻值的第2高电阻状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102834872B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180017639.5
申请日：2011-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/00 , G11C13/003 , G11C29/50008 , G11C2213/15
Abstract: 本发明提供一种能够检测使用了电流控制元件的存储单元阵列的故障存储单元的电阻变化型非易失性存储装置的检查方法及电阻变化型非易失性存储装置。具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）和读出电路（206）的电阻变化型非易失性存储装置（200）的检查方法，包括以下步骤：当基于第2电压读出存储单元的电阻状态时，若电阻变化元件（R11）是低电阻状态且电流控制元件（D11）中流过规定值以上的电流，则判定为电流控制元件（D11）具有短路异常的步骤；当基于第1电压读出存储单元的电阻状态时，判定电阻变化元件（R11）的状态是低电阻状态还是高电阻状态的步骤。
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公开(公告)号：CN102197434A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201080003079.3
申请日：2010-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C13/0064 , G11C2013/0066 , G11C2013/0078 , G11C2213/15 , G11C2213/79 , G11C2213/82 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供一种减小电阻变化元件的低电阻状态的电阻值的偏差、进行稳定的动作的电阻变化型非易失性存储装置。该电阻变化型非易失性存储装置具备对存储单元(102)施加电压、以使包含在该存储单元(102)中的电阻变化元件(100)等从高电阻状态转变为低电阻状态的LR写入电路(500)；LR写入电路(500)具有对存储单元(102)施加电压的、输出端子相互连接的第1驱动电路(510)及第2驱动电路(520)；第1驱动电路(510)在对存储单元(102)施加电压时输出第1电流，第2驱动电路(520)在对存储单元(102)施加电压时，在第1驱动电路(510)的输出端子处的电压比预先确定的基准电压VREF高的情况下输出第2电流，在输出端子处的电压比基准电压VREF低的情况下为高阻抗状态。
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公开(公告)号：CN103052990B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201280001342.4
申请日：2012-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C29/50008 , G11C29/76 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供一种能够进行稳定的动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），写入电路（205）对配置在与不良存储单元相同的位线及字线上的至少某个上的不良存储单元以外的其他存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使其他存储单元的电阻变化元件（30）成为第2高电阻状态，该第2高电阻状态表现出比第1低电阻状态的电阻值大的电阻值。
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公开(公告)号：CN103052990A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201280001342.4
申请日：2012-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C29/50008 , G11C29/76 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 提供一种能够进行稳定的动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），写入电路（205）对配置在与不良存储单元相同的位线及字线上的至少某个上的不良存储单元以外的其他存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使其他存储单元的电阻变化元件（30）成为第2高电阻状态，该第2高电阻状态表现出比第1低电阻状态的电阻值大的电阻值。
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公开(公告)号：CN101159264A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710162930.7
申请日：2007-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 友谷裕司
IPC: H01L27/02 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/11807
Abstract: 抑制具有宏单元的半导体集成电路的面积。半导体集成电路，具有：含有多个电路元件的宏单元；供给上述宏单元第一电位的第一宏单元用电源布线；设置在与上述第一宏单元用电源布线同一布线层中，供给上述宏单元第二电位的第二宏单元用电源布线。上述第一及第二宏单元用电源布线，设置在上述宏单元上，上述第二宏单元用电源布线，设置为沿上述第一宏单元用电源布线的长边方向即第一方向延伸。
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