公开(公告)号：CN103155117A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048666.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  古川良太 ,  稻本吉将 ,  水上达弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: B44C1/227 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质，这些工序为：基板载置工序，将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上，并且将基板载置于各个基板保持部上，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，使腔室内减压并且供给处理气体，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。

公开(公告)号：CN1175477C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN02105984.5

申请日：2002-04-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井哲博 ,  古川良太

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3299

Abstract: 一种等离子体处理装置和使用该装置的等离子体处理方法，在气体供给过程中，在开闭气体供给路径的气体开关阀打开之前，由主控制部将流量设定指令信号设定为零流量，并向质量流量控制器输出，在气体开关阀为打开状态后，把流量设定指令信号设定为规定流量并输出，从而，能够解决在气体流入的初始状态，等离子体产生用气体一时供给过剩的问题。

公开(公告)号：CN103155117B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201180048666.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  古川良太 ,  稻本吉将 ,  水上达弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: B44C1/227 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明提供一种基板的等离子体处理方法。通过实施如下工序而在等离子体处理中去除基板的缘部以及托盘所附着的副生成物以提高产品的品质，这些工序为：基板载置工序，将设置有收容基板的多个基板收容孔、且具有从各个基板收容孔的内壁突出的基板支撑部的托盘载置于基板台的托盘支撑部上，并且将基板载置于各个基板保持部上，由此成为使从基板保持部的端缘伸出的基板的缘部和基板支撑部分离的状态；第一等离子体处理工序，使腔室内减压并且供给处理气体，来进行对各个基板的等离子体处理；第二等离子体处理工序，在托盘以及各个基板被载置于基板台上的状态下，使腔室内减压并且供给处理气体来实施等离子体处理，通过第一等离子体处理工序的实施来去除在基板的缘部与基板支撑部所附着的副生成物。

公开(公告)号：CN1380685A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105984.5

申请日：2002-04-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩井哲博 ,  古川良太

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3299

Abstract: 一种等离子体处理装置和使用该装置的等离子体处理方法,在气体供给过程中,在开闭气体供给路径的气体开关阀打开之前,由主控制部将流量设定指令信号设定为零流量,并向质量流量控制器输出,在气体开关阀为打开状态后,把流量设定指令信号设定为规定流量并输出,从而,能够解决在气体流入的初始状态,等离子体产生用气体一时供给过剩的问题。