压电体驱动器及其驱动方法、以及盘记录重放装置

    公开(公告)号:CN1501575B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200310116521.5

    申请日:2003-11-14

    CPC classification number: H01L41/0986 G11B5/4873 G11B5/5552 H01L41/042

    Abstract: 一种压电体驱动器的驱动方法。压电体元件(1)具有正的电场侧的极化转变电场强度和负的电场侧的极化转变电场强度的值的绝对值为不同的非对称的极化-电场滞后,在压电体元件(1)的膜厚方向上、并且极化转变电场强度的绝对值小的方向上极化;作为用于使压电体元件(1)在垂直于压电体元件(1)的膜厚方向的方向上位移来进行位置控制的位置控制电压Q1,面对极化转变电场强度的绝对值大的方向,在压电体元件(1)的膜厚方向施加相当于极化转变电场强度的值为0.4以下电场的电压。而且,该方法将恢复压电体元件(1)的极化恶化的极化恢复电压Q2重叠在位置控制电压Q1上,与位置控制电压Q1进行切换施加,或在没有施加位置控制电压Q1时进行施加,由此恢复极化特性的恶化,可以使位移特性长期稳定。

    压电体元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1551380A

    公开(公告)日:2004-12-01

    申请号:CN200410045859.0

    申请日:2004-05-20

    Inventor: 喜多弘行

    CPC classification number: H01L41/0805 H01L41/0986 H01L41/1876 H01L41/316

    Abstract: 本发明涉及由第1电极膜、第2电极膜、第1电极膜及第2电极膜所夹的压电体薄膜构成的压电体元件,特征是上述压电体薄膜为氧化物压电体薄膜,其相对化学计量组成上具有0%以上至10%或10%以下的氧缺损量。与处于化学计量组成的氧化状态的氧化物压电体薄膜相比,具有上述氧缺损量的压电体薄膜制成的压电体元件有较大的压电性,而且,在该条件下制作,可以增大成膜速度,从而能改善批量生产性。

    压电体驱动器及其驱动方法、以及盘记录重放装置

    公开(公告)号:CN1501575A

    公开(公告)日:2004-06-02

    申请号:CN200310116521.5

    申请日:2003-11-14

    CPC classification number: H01L41/0986 G11B5/4873 G11B5/5552 H01L41/042

    Abstract: 一种压电体驱动器的驱动方法。压电体元件(1)具有正的电场侧的极化转变电场强度和负的电场侧的极化转变电场强度的值的绝对值为不同的非对称的极化-电场滞后,在压电体元件(1)的膜厚方向上、并且极化转变电场强度的绝对值小的方向上极化;作为用于使压电体元件(1)在垂直于压电体元件(1)的膜厚方向的方向上位移来进行位置控制的位置控制电压Q1,面对极化转变电场强度的绝对值大的方向,在压电体元件(1)的膜厚方向施加相当于极化转变电场强度的值为0.4以下电场的电压。而且,该方法将恢复压电体元件(1)的极化恶化的极化恢复电压Q2重叠在位置控制电压Q1上,与位置控制电压Q1进行切换施加,或在没有施加位置控制电压Q1时进行施加,由此恢复极化特性的恶化,可以使位移特性长期稳定。

    压电体元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100433394C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200410045859.0

    申请日:2004-05-20

    Inventor: 喜多弘行

    CPC classification number: H01L41/0805 H01L41/0986 H01L41/1876 H01L41/316

    Abstract: 本发明涉及由第1电极膜、第2电极膜、第1电极膜及第2电极膜所夹的压电体薄膜构成的压电体元件,特征是上述压电体薄膜为氧化物压电体薄膜,其相对化学计量组成上具有0%以上至10%或10%以下的氧缺损量。与处于化学计量组成的氧化状态的氧化物压电体薄膜相比,具有上述氧缺损量的压电体薄膜制成的压电体元件有较大的压电性,而且,在该条件下制作,可以增大成膜速度,从而能改善批量生产性。

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