公开(公告)号：CN1391260A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02108138.7

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  多田慎也 ,  池田敦 ,  原田刚史 ,  杉原康平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，它在设于半导体衬底上的绝缘性或者导电性膜上形成阻挡层，在该阻挡层上设置由导电膜组成的电极或者布线。阻挡层是晶体结构为β结构的钽膜。

公开(公告)号：CN1267969C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02108138.7

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  多田慎也 ,  池田敦 ,  原田刚史 ,  杉原康平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，它在设于半导体衬底上的绝缘性或者导电性膜上形成阻挡层，在该阻挡层上设置由导电膜组成的电极或者布线。阻挡层是晶体结构为β结构的钽膜。