公开(公告)号：CN1391260A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02108138.7

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  多田慎也 ,  池田敦 ,  原田刚史 ,  杉原康平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，它在设于半导体衬底上的绝缘性或者导电性膜上形成阻挡层，在该阻挡层上设置由导电膜组成的电极或者布线。阻挡层是晶体结构为β结构的钽膜。

公开(公告)号：CN1267976C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。

公开(公告)号：CN1267969C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02108138.7

申请日：2002-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岸田刚信 ,  多田慎也 ,  池田敦 ,  原田刚史 ,  杉原康平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，它在设于半导体衬底上的绝缘性或者导电性膜上形成阻挡层，在该阻挡层上设置由导电膜组成的电极或者布线。阻挡层是晶体结构为β结构的钽膜。

公开(公告)号：CN1842903A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000989.5

申请日：2005-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中川秀夫 ,  青井信雄

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C14/027 ,  C23C14/16 ,  H01L21/76846

Abstract: 半导体装置包括：在硅衬底1上形成的绝缘膜6、在绝缘膜6中形成的埋入布线10、以及在绝缘膜6和埋入布线10之间形成的金属阻挡膜Al。金属阻挡膜Al由金属化合物膜7和即使被氧化也不失去导电性的金属膜9的叠层膜所构成，在金属化合物膜7和金属膜9的接合面附近，存在有金属化合物膜7和金属膜9融合而形成的融合层8。

公开(公告)号：CN1842902A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000982.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  池田敦 ,  青井信雄

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置包括：在硅衬底1上形成的绝缘膜6，在绝缘膜6中形成的埋入金属布线8，以及在绝缘膜6与金属布线8之间形成的金属阻挡膜7。金属阻挡膜是金属化合物膜，金属化合物膜包含构成绝缘膜6的元素中的至少1个。

公开(公告)号：CN1489188A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03155900.X

申请日：2003-08-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾秀司 ,  原田刚史 ,  二井一志 ,  岸田刚信 ,  池田敦 ,  辻和则

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种生产半导体器件的方法。在该方法中，在一层具有晶体结构的势垒膜上形成第一导电薄膜之后，在第一导电膜上形成第二导电膜。其后，加热第一导电膜和第二导电膜使得第一导电膜和第二导电膜成为一体而形成第三导电膜。根据本发明的方法，由于避免了由于应力迁移而出现缺陷，所以改进了布线可靠性，提高了半导体器件的产品成品率。

公开(公告)号：CN100447979C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200580021240.9

申请日：2005-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中川秀夫 ,  青井信雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。

公开(公告)号：CN1973367A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580021240.9

申请日：2005-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田敦 ,  中川秀夫 ,  青井信雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。

公开(公告)号：CN1842904A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000997.X

申请日：2005-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青井信雄 ,  中川秀夫 ,  池田敦

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873

Abstract: 半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6，8)、在绝缘膜(6，8)中形成的埋入布线(14)、以及在绝缘膜(6，8)和埋入布线(14)之间形成的金属阻挡膜(Al)。金属阻挡膜(Al)由绝缘膜(6，8)所在的一侧向埋入布线(14)所在的一侧依序叠层形成的金属氧化物膜(11)、迁移层(12a)以及金属膜(13)构成；迁移层(12a)由具有金属氧化物膜(11)的组成及金属膜(13)的组成的大体中间组成的单一原子层所构成。

公开(公告)号：CN1477695A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03143801.6

申请日：2003-07-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 垂水喜明 ,  池田敦 ,  岸田刚信

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其目的在于：为微细化了的布线形成沟及通孔，制成不会出现空隙或者缝口且埋入特性优良的金属布线。利用溅射法在包含通孔17a及上布线形成沟18a的壁面及底面的第4绝缘膜17上沉积厚度约25nm、由氮化钽制成的下阻挡层19。此时的溅射条件是对靶施加约10kW的DC源功率。之后，将DC源功率降到2kW左右，对半导体衬底施加约200W的RF功率，对下阻挡层19进行使用了氩气的、蚀刻量为5nm左右的溅射蚀刻，由此而将沉积在通孔17a的底面的下阻挡层19的至少一部分沉积在通孔17a的壁面的下方。