公开(公告)号：CN100379021C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410102119.6

申请日：2004-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹花康宏 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7835

Abstract: 在P型半导体衬底(110)中形成的扩展漏区(102)中，形成P型埋入区(104a和104b)。在所述P型埋入区(104a与104b)之间形成N型埋入区(113)。沿着G-G’平面在N型埋入区(113)和P型埋入区(104a与104b)之间的边界附近的N型埋入区(113)的N型杂质浓度低，且从所述边界至N型埋入区(113)的内侧所述浓度升高。

公开(公告)号：CN1750270A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510099298.7

申请日：2005-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  泽田和幸 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N－型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。

公开(公告)号：CN1953203B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610135515.8

申请日：2006-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  山下哲司 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。在P-型半导体衬底表面部分形成N型降低表面电场区域。在半导体衬底内，以与降低表面电场区域相邻的方式形成p型基极区域。在基极区域上，隔着栅极绝缘膜形成栅极电极。在基极区域内，以与降低表面电场区域隔离的方式形成N+型发射极兼源极区域。在降低表面电场区域内，以与基极区域隔离的方式形成p+型集电极区域和N+型漏极区域。设置电连接在集电极区域和漏极区域上的集电极兼漏极电极、和电连接在基极区域和发射极兼源极区域上的发射极兼源极电极。因此，能提供一种能在从负载很小时到负载很大时为止的整个范围内减低损失的高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。

公开(公告)号：CN100472805C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200510099298.7

申请日：2005-09-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  泽田和幸 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在源极电极70和漏极电极80上的钝化膜90中设置离子穿越区100、102，作为第一开口。用密封树脂涂敷钝化膜90，以封装半导体器件。此时，用密封树脂填充离子穿越区100、102，以使密封树脂与源极电极70和漏极电极80直接接触。采用该结构，在高温和高湿的环境下聚集在密封树脂与钝化膜90的界面处的可移动离子经由离子穿越区100、102，放电到源极电极70和漏极电极80，由此不影响N-型扩展漏极区30。因此，可以改善漏极击穿电压。

公开(公告)号：CN1953203A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610135515.8

申请日：2006-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子佐一郎 ,  山下哲司 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明公开了一种高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。在P－型半导体衬底表面部分形成N型降低表面电场区域。在半导体衬底内，以与降低表面电场区域相邻的方式形成p型基极区域。在基极区域上，隔着栅极绝缘膜形成栅极电极。在基极区域内，以与降低表面电场区域隔离的方式形成N+型发射极兼源极区域。在降低表面电场区域内，以与基极区域隔离的方式形成p+型集电极区域和N+型漏极区域。设置电连接在集电极区域和漏极区域上的集电极兼漏极电极、和电连接在基极区域和发射极兼源极区域上的发射极兼源极电极。因此，能提供一种能在从负载很小时到负载很大时为止的整个范围内减低损失的高耐压半导体开关元件及使用其的开关电源装置。

公开(公告)号：CN1627536A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410102119.6

申请日：2004-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 竹花康宏 ,  宇野利彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7835

Abstract: 在P型半导体衬底(110)中形成的扩展漏区(102)中，形成P型埋入区(104a和104b)。在所述P型埋入区(104a与104b)之间形成N型埋入区(113)。沿着G－G’平面在N型埋入区(113)和P型埋入区(104a与104b)之间的边界附近的N型埋入区(113)的N型杂质浓度低，且从所述边界至N型埋入区(113)的内侧所述浓度升高。