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公开(公告)号:CN1627536A
公开(公告)日:2005-06-15
申请号:CN200410102119.6
申请日:2004-12-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L29/0634 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/7835
Abstract: 在P型半导体衬底(110)中形成的扩展漏区(102)中,形成P型埋入区(104a和104b)。在所述P型埋入区(104a与104b)之间形成N型埋入区(113)。沿着G-G’平面在N型埋入区(113)和P型埋入区(104a与104b)之间的边界附近的N型埋入区(113)的N型杂质浓度低,且从所述边界至N型埋入区(113)的内侧所述浓度升高。
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公开(公告)号:CN100379021C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200410102119.6
申请日:2004-12-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66659 , H01L29/0634 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/7835
Abstract: 在P型半导体衬底(110)中形成的扩展漏区(102)中,形成P型埋入区(104a和104b)。在所述P型埋入区(104a与104b)之间形成N型埋入区(113)。沿着G-G’平面在N型埋入区(113)和P型埋入区(104a与104b)之间的边界附近的N型埋入区(113)的N型杂质浓度低,且从所述边界至N型埋入区(113)的内侧所述浓度升高。
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公开(公告)号:CN101071796A
公开(公告)日:2007-11-14
申请号:CN200710005737.2
申请日:2007-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/50 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/49503 , H01L23/49548 , H01L23/49568 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/05647 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2224/85399 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种引线框及使用了它的半导体装置。该引线框,包括:上表面支撑半导体芯片的芯片垫,分别从芯片垫中的一个侧面和与该一个侧面相向的其他侧面向外侧延伸的散热板,以及多条分别与芯片垫的侧面中不位于散热板侧且互相相向的那两个侧面相向、设置为夹着芯片垫的内部引线。多条内部引线中的至少一条,是与芯片垫连结的GND引线。在散热板中,形成有周围的三个方向被狭缝包围、并且剩下的一个方向通过连结部与散热板连接的岛状接合区。因此,能够设为在使用了引线框的半导体装置中,得到即使在引线框与密封用树脂材料之间发生剥离也不会因该剥离而失去电连接部分的连接可靠性的半导体装置。
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