公开(公告)号：CN1638146A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410097819.0

申请日：2000-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  山下胜重 ,  三浦孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/7812 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种SOI型半导体器件，夹置绝缘层地层积半导体衬底和作为有源层的第一半导体层，同时在第一半导体层的表面上，形成第二半导体层和有与该第二半导体层不同导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层和所述绝缘层的界面上形成有与第一半导体层不同导电型的第四半导体层。该第四半导体层被这样设定，平均单位面积的杂质量大于3×1012/cm2，以便即使在第二和第三半导体层之间施加反向偏置电压，也不会完全耗尽。

公开(公告)号：CN1316626C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN03102938.8

申请日：2003-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下胜重 ,  西村久治 ,  山崎浩務 ,  井上真幸 ,  佐藤嘉展

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 提供一种SOI型半导体装置，它是一种至少包括在绝缘膜上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的半导体有源元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的半导体有源元件(60)，形成在由为上述斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了半导体有源元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了半导体有源元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。

公开(公告)号：CN1271720C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN00131700.8

申请日：2000-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  山下胜重 ,  三浦孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/7812 ,  H01L21/76286 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种SOI型半导体器件，夹置绝缘层地层积半导体衬底和作为有源层的第一半导体层，同时在第一半导体层的表面上，形成第二半导体层和有与该第二半导体层不同导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层和所述绝缘层的界面上形成有与第一半导体层不同导电型的第四半导体层。该第四半导体层被这样设定，平均单位面积的杂质量大于3×1012/cm2，以便即使在第二和第三半导体层之间施加反向偏置电压，也不会完全耗尽。

公开(公告)号：CN1434518A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN03102938.8

申请日：2003-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下胜重 ,  西村久治 ,  山崎浩務 ,  井上真幸 ,  佐藤嘉展

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/84

Abstract: 提供一种小型SOI型半导体装置。它是一种至少包括在绝缘膜(2)上形成的包含半导体层(3)的SOI基板(50)，和在半导体层3上形成的能动型半导体元件(60)的SOI型半导体装置(1000)。在SOI型半导体装置上的能动型半导体元件(60)，形成在由为斑点状分离半导体层(3)的分离区域(4)所包围的元件形成区域(70)内，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)以外的半导体层(3)的一部分(80)上，形成了含有高浓度不纯物的吸收层(9)，并且，在形成了能动型半导体元件(60)的元件形成区域(70)内不形成吸收层(9)。