公开(公告)号：CN1967720A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149567.0

申请日：2006-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小关隆夫 ,  在田盟 ,  山冈邦史 ,  岩成俊一

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/10 ,  G11C16/08

CPC classification number: G06F12/1009 ,  G06F12/1408 ,  G06F2212/2022

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表；地址加扰步骤，根据上述地址转换表，对输入地址进行地址转换。