公开(公告)号：CN1885431A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610090031.6

申请日：2006-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 在田盟

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483

Abstract: 本发明提供了用于以第0～第4阈值电压中的任意一个来存储数据的存储单元阵列，和用于存储表示分别写入第一页和第二页的数据的写入操作之间的时间顺序关系的标志数据。控制器在“正向”写入操作中，根据第一页的数据将存储单元的状态从第0状态变换到第0或第1状态，并根据第二页的数据将存储单元的状态变换到第0、第1、第2和第3状态中的任意一种。控制器在“反向”写入操作中，根据第二页的数据将存储单元的状态从第0状态变换到第0或第3状态，并根据第一页的数据将存储单元的状态变换到第0、第1、第3和第4状态中的任意一种。然后，在标志存储装置中存储表示“反向”写入操作的标志数据。

公开(公告)号：CN100536026C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200610090031.6

申请日：2006-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 在田盟

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483

Abstract: 本发明提供了用于以第0～第4阈值电压中的任意一个来存储数据的存储单元阵列，和用于存储表示分别写入第一页和第二页的数据的写入操作之间的时间顺序关系的标志数据。控制器在“正向”写入操作中，根据第一页的数据将存储单元的状态从第0状态变换到第0或第1状态，并根据第二页的数据将存储单元的状态变换到第0、第1、第2和第3状态中的任意一种。控制器在“反向”写入操作中，根据第二页的数据将存储单元的状态从第0状态变换到第0或第3状态，并根据第一页的数据将存储单元的状态变换到第0、第1、第3和第4状态中的任意一种。然后，在标志存储装置中存储表示“反向”写入操作的标志数据。

公开(公告)号：CN1967720A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149567.0

申请日：2006-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小关隆夫 ,  在田盟 ,  山冈邦史 ,  岩成俊一

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/10 ,  G11C16/08

CPC classification number: G06F12/1009 ,  G06F12/1408 ,  G06F2212/2022

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件的控制方法，该半导体存储器件包含具有多个多值存储器单元的存储器单元阵列，该多个多值存储器单元的每一个，以第一写入动作在第一页的地址存储数据、以第二写入动作在第二页的地址存储数据，所述半导体存储器件的控制方法的特征在于，包括：地址转换表处理步骤，通过在上述多个多值存储器单元的每一个中，对地址分配要进行写入的地址，以使得在第一页的地址写入数据之后在第二页的地址写入数据，来生成用于进行地址转换的地址转换表；地址加扰步骤，根据上述地址转换表，对输入地址进行地址转换。