公开(公告)号：CN1855697B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610073744.1

申请日：2006-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩田基良 ,  竹原宏泰 ,  山内广之

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/52 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F3/04 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/189 ,  H03F2200/387

Abstract: 本发明揭示一种高频功率放大装置，具有：高频功率放大用晶体管(2)、对高频功率放大用晶体管的基极供给偏流的偏流供给电路(51)、以及连接在所述高频功率放大用晶体管的基极与偏流供给电路之间的偏流控制电路(52)，并且所述偏流控制电路连接到高频功率放大用晶体管的电源(32)，从而实现低功率时的高频功率放大装置高效率化，而且改善低功率时的功率放大器温度特性。

公开(公告)号：CN1744430A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510099118.5

申请日：2005-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 须崎秀史 ,  朴在佑 ,  岩田基良 ,  太田顺道

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H03F3/68 ,  H03F1/52 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明的高频功率放大器在构成多单元的一个单位单元中、在栅－源极间或基－发射极间有短路存在的情况下，利用配置在每个单位单元上的二极管的隔直流特性，能制止对其它正常的单位单元工作的影响。

公开(公告)号：CN103703682A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201380002337.X

申请日：2013-03-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山智英 ,  内藤浩 ,  夘野高史 ,  岩田基良 ,  八幡和宏 ,  池田光

IPC: H03F3/60 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193

CPC classification number: H03F1/56 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/565 ,  H03F3/191 ,  H03F3/601 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 高频放大电路（1）为，在封装（112）内的安装面上具备晶体管（101）和输出侧匹配电路（103），输出侧匹配电路（103）具备经由第一导线（121）被传递来自晶体管（101）的高频信号的第一分布常量线路（105）、经由第二导线（122）将来自第一分布常量线路（105）的高频信号向封装（112）外部传送的平板状的引线端子（106）、以及一个电极经由第三导线（123）与引线端子（106）连接而另一个电极接地的电容元件（108），引线端子（106）的里面与树脂衬底接合，以电容元件（108）和第一分布常量线路（105）的排列方向与第一分布常量线路（105）和引线端子（106）的排列方向在上述安装面上交叉的方式，将电容元件（108）和第一分布常量线路（105）相邻接配置。

公开(公告)号：CN101800518A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010126463.4

申请日：2006-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩田基良 ,  竹原宏泰 ,  山内广之

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/19

CPC classification number: H03F3/04 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/189 ,  H03F2200/387

Abstract: 本发明揭示一种高频功率放大装置，具有：高频功率放大用晶体管(2)、对高频功率放大用晶体管的基极供给偏流的偏流供给电路(51)、以及连接在所述高频功率放大用晶体管的基极与偏流供给电路之间的偏流控制电路(52)，并且所述偏流控制电路连接到高频功率放大用晶体管的电源(32)，从而实现低功率时的高频功率放大装置高效率化，而且改善低功率时的功率放大器温度特性。

公开(公告)号：CN101079598A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710129250.5

申请日：2007-04-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 增田拓也 ,  岩田基良 ,  石原慎一郎

IPC: H03F3/189 ,  H03F1/30

Abstract: 为了提供一种高频功率放大器，通过在高频稳定以高频放大晶体管的温度补偿作用为特征的偏置电路的偏置电压，能够改进高频功率放大器的线性和效率，在偏置电源晶体管41的基极与参考电位之间连接电容61。因此可能抑制偏置电源晶体管41的基极电压的变化，特别是当高频功率放大器在高输出时，并改进高频功率放大器的线性。

公开(公告)号：CN1855697A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073744.1

申请日：2006-04-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩田基良 ,  竹原宏泰 ,  山内广之

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/52 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F3/04 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/189 ,  H03F2200/387

Abstract: 本发明揭示一种高频功率放大装置，具有：高频功率放大用晶体管(2)、对高频功率放大用晶体管的基极供给偏流的偏流供给电路(51)、以及连接在所述高频功率放大用晶体管的基极与偏流供给电路之间的偏流控制电路(52)，并且所述偏流控制电路连接到高频功率放大用晶体管的电源(32)，从而实现低功率时的高频功率放大装置高效率化，而且改善低功率时的功率放大器温度特性。

公开(公告)号：CN104025292A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201280012054.9

申请日：2012-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 夘野高史 ,  池田光 ,  八幡和宏 ,  岩田基良 ,  内藤浩 ,  神山智英

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28

Abstract: 提供一种安装了高频用的高输出半导体元件的、便宜且高频特性良好的半导体封装。本发明的半导体封装（1）具备：半导体元件（12），输入或输出高频信号；平板状的引线端子（13），一端与半导体元件（12）的输入端子或输出端子电连接；封固用树脂（16），将引线端子（13）和半导体元件（12）封固，使得引线端子（13）的另一端露出；接地强化用金属体（15），被封固用树脂（16）封固，使得第1主面对置于引线端子（13）、第2主面从封固用树脂（16）露出。

公开(公告)号：CN103563482A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201380001419.2

申请日：2013-02-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 池田光 ,  岩田基良 ,  神山智英

IPC: H05B6/68

CPC classification number: H05B6/6447 ,  H05B6/645 ,  H05B6/70 ,  H05B6/705 ,  H05B6/72

Abstract: 在本发明的一个实施方式所涉及的微波加热装置中，被加热物(110)具有多个部位，该微波加热装置具备：将微波照射到加热箱内(100)的多个天线(13)；从被赋予了示出所述多个部位的每一个的特征的信息的块模型(101)中检测该信息的传感器(14)；被输入有针对被加热物(110)的加热条件的显示输入操作部(17)；根据由传感器(14)检测出的信息和被输入到显示输入操作部(17)的加热条件，通过电磁场解析来导出含有针对被加热物(110)的微波照射条件的加热概要的电磁场解析部(16)；以及根据被导出的加热概要，来控制由天线(13)辐射的微波的动作的控制部(10)。