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公开(公告)号：CN1329992C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03148731.9
申请日：2003-06-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55
Abstract: 一种存储装置，具有包含由在硅构成的衬底(10)上依次形成的下部电极(21)、铁电体膜(22)以及上部电极(23)所构成的电容(20)的存储单元。铁电体膜(22)，在下部电极(21)上选择性生长后形成。这样，由于在具有所希望的下部电极(21)上选择性地形成铁电体膜(22)，在铁电体膜(22)中不会有损伤部，可以实现存储单元的微细化。
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公开(公告)号：CN1236452C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器(636)，包括一组存储器单元(645，12，201，301，401，501)，每个单元具有一铁电存储器元件(44，218)，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线(25，49，125)，(325，425，525)，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器(20，42，120，320，420)，在存储器单元及位元线之间，一设定开关(14，114，314，414，514)，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关(16，116，316，416，516)，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1482683A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03154304.9
申请日：2003-08-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/22 , G11C7/1048 , G11C7/12
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置及其制造方法和驱动方法。在将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器的2个电极上施加读出电压，以增加读出极化值时的动作余量。半导体存储装置装备有具有将数据作为极化值进行存储的强电介质电容器(C0)、(C1)的多个存储器单元。在构成多个存储器单元中的作为读出数据的存储器单元的强电介质电容器(C0)、(C1)的2个电极之间施加读出电压，并通过检测强电介质电容器(C0)、(C1)的极化值来读出存储在强电介质电容器(C0)、(C1)的数据。强电介质电容器(C0)、(C1)的滞后曲线向与读出电压的极性相反的电压侧移动。
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公开(公告)号：CN1466763A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器636，包括一组存储器单元645，12，201，301，401，501，每个单元具有一铁电存储器元件44，218，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线25，49，125，325，425，525，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器20，42，120，320，420，在存储器单元及位元线之间，一设定开关14，114，314，414，514，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关16，116，316，416，516，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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