半导体集成电路器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1252732C

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN01131034.0

    申请日:2001-09-04

    CPC classification number: G11C7/10 G11C2207/104

    Abstract: 一种半导体集成电路器件,它包括:形成在P型半导体区域内的N型第1阱;多条字线;多条数据线;多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列;和多条数据线耦合的传感放大器的列;驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入,将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。

    半导体集成电路器件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1342983A

    公开(公告)日:2002-04-03

    申请号:CN01131034.0

    申请日:2001-09-04

    CPC classification number: G11C7/10 G11C2207/104

    Abstract: 一种半导体集成电路器件,它包括:形成在P型半导体区域内的N型第1阱;多条字线;多条数据线;多个分别接在多条字线中相对应的一条上、多条数据线中相对应的一条上的存储单元在第1阱上排列而形成的矩阵状DRAM存储单元阵列;和多条数据线耦合的传感放大器的列;驱动多条字线的字线驱动器及电源电路。电源电路以自外部供来的电压为输入,将降低该电压而生成的内部电源电压供向传感放大器、字线驱动器及第1阱。

Patent Agency Ranking