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公开(公告)号：CN100364095C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510005856.9
申请日：2005-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 一种CMOS器件，其中，NMIS栅注入层，是将P型阱注入层的掩模数据，与从N型阱注入层的掩模数据减去NMIS-SD注入层及PMIS-SD注入层的掩模数据后得到的掩模数据相加的方法生成。在CMOS器件的制造工艺中，通过使用该NMIS栅注入层进行离子注入，从而减少栅多晶硅膜中的PN结部及非掺杂区的总数。减少栅多晶硅膜中的PN结部及非掺杂区的数量，从而减少出现硅化物膜的断线时的电连接不良。
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公开(公告)号：CN1077726C
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN97101033.1
申请日：1994-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8249 , Y10S148/01 , Y10S148/011
Abstract: 制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法、该方法包括：在衬底上形成电容器下电极；在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔；在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜；选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜，以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。
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公开(公告)号：CN1095595C
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN97101048.X
申请日：1994-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/76 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L21/8249 , Y10S148/01 , Y10S148/011
Abstract: 制造具有NPN双极晶体管的半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成N型收集极层；再在其上的一个区域内形成P型防漏电层；在所述衬底的表面区域内形成氧化物隔离层使其与防止漏电层相接触；在N型收集极层的表面侧形成P型基极层、使其至少有一侧面部分与氧化物隔离层及防止漏电层相接触；在P型基极层的表面侧形成N型发射极层；以及在所述P型基极层上未与N型发射极层接触的区域内形成P型基极接触层。
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公开(公告)号：CN1171623A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97101048.X
申请日：1994-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/76 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L21/8249 , Y10S148/01 , Y10S148/011
Abstract: 制造具有NPN双极晶体管的半导体器件的方法。该方法包括:在衬底上形成N型收集极层;再在其上的一个区域内形成P型防漏电层;在所述衬底的表面区域内形成氧化物隔离层使其与防止漏电层相接触;在N型收集极层的表面侧形成P型基极层、使其至少有一侧面部分与氧化物隔离层及防止漏电层相接触;在P型基极层的表面侧形成N型发射极层;以及在所述P型基极层上未与N型发射极层接触的区域内形成P型基极接触层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1649155A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005856.9
申请日：2005-01-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/823842
Abstract: 一种CMOS器件，其中，NMIS栅注入层，是将P型阱注入层的掩模数据，与从N型阱注入层的掩模数据减去NMIS－SD注入层及PMIS－SD注入层的掩模数据后得到的掩模数据相加的方法生成。在CMOS器件的制造工艺中，通过使用该NMIS栅注入层进行离子注入，从而减少栅多晶硅膜中的PN结部及非掺杂区的总数。减少栅多晶硅膜中的PN结部及非掺杂区的数量，从而减少出现硅化物膜的断线时的电连接不良。
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公开(公告)号：CN1052341C
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN94103433.X
申请日：1994-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/70 , H01L21/331
CPC classification number: H01L21/8249 , Y10S148/01 , Y10S148/011
Abstract: 在具有NPN双极晶体管的耐高压半导体器件中，在P型半导体衬底的表面区域内形成了一个氧化物隔离层和一个至少有一部分与氧化物隔离层相接触的P型收集极层。在该P型收集极层上形成有P型收集极接触层。在其表面侧无P型收集极接触层的区域内形成N型基极层。一个P型发射极层形成在N型基极层上。杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触-基极间P型防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内，以防止漏电流。
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公开(公告)号：CN1171628A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97101033.1
申请日：1994-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L21/8249 , Y10S148/01 , Y10S148/011
Abstract: 制造在半导体衬底上带有电容器的半导体器件的方法,该方法包括:在衬底上形成电容器下电极;在该下电极上形成第一隔离膜、选择性地腐蚀第一隔离膜以形成第一和第二开孔;在上述下电极和第一隔离膜上形成第二隔离膜;选择性腐蚀第二隔离膜以露出上述第二开孔的底部及与第二开孔周边的第一隔离膜,以及在第二开孔中形成所述电容器下电极的接触电极。
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公开(公告)号：CN1171626A
公开(公告)日：1998-01-28
申请号：CN97101032.3
申请日：1994-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L21/76 , H01L21/331
CPC classification number: H01L21/8249 , Y10S148/01 , Y10S148/011
Abstract: 一种制造半导体器件的方法,该半导体器件有P型发射极层、N型基极层、P型收集极层、P收集极接触层以及氧化物隔离层,该方法包括下列步骤:在衬底上形成氮化物膜;形成氧化物隔离层;形成P型收集极层;形成收集极接触－基极防止漏电层;形成N型基层;以及形成P型收集极接触层并形成P型发射极层。其中,杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触－基极间防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内,以防止漏电。
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公开(公告)号：CN1093493A
公开(公告)日：1994-10-12
申请号：CN94103433.X
申请日：1994-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/70 , H01L21/331
CPC classification number: H01L21/8249 , Y10S148/01 , Y10S148/011
Abstract: 在具有NPN双极晶体管的耐高压半导体器件中，在P型半导体衬底的表面区域内形成了一个氧化物隔离层和一个至少有一部分与氧化物隔离层相接触的P型收集极层。在该P型收集极层上形成有P型收集极接触层。在其表面侧无P型收集极接触层的区域内形成N型基极层。一个P型发射极层形成在N型基极层上。杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触——基极间P型防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内，以防止漏电流。
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