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公开(公告)号：CN1326304A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN01118948.7
申请日：2001-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种频率合成器包括:预定标器和计数器,输出具有对VCO1的输出信号频率分频生成的频率的信号;基准分频器,对基准信号频率分频;频率调节装置,检测计数器输出信号与基准分频器输出信号之间的频率误差,并输出一信号,通过该信号切换在VCO1的谐振电路中使用的电容值或电感值;偏压控制装置,在频率调节装置工作时,施加任意电压到VCO1的控制电压端,将电荷泵的输出信号带入高阻抗状态。该频率合成器能将相位锁定在理想频率上。且能以低成本实现小型VCO。
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公开(公告)号：CN100361393C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200310116350.6
申请日：2003-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 一种可变电容元件，包括：埋入电极层(102)，在半导体衬底的上表面区域部分由导电型与半导体衬底不同的半导体层形成；布线层(114)，与在埋入电极层上方形成的埋入电极层的引出部连接；一对电容绝缘膜(105、110)，分别在埋入电极层的除引出部以外的区域部分之上形成，区域部分在一个平面上有相对且邻近的侧面；绝缘体层(108)，在一对电容绝缘膜的与上述邻近的侧面垂直的各外侧面相连接的区域形成；一对导电体层(104、109)，分别在各电容绝缘膜和各绝缘体层上形成；及布线层(107、112)，分别与绝缘体层上的一对导电体层的引出部连接。通过分别改变埋入电极层和一对导电体层之间的电压，可改变埋入电极层和一对导电体层之间的电容值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1245046C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN01118948.7
申请日：2001-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种频率合成器包括：预定标器和计数器，输出具有对VCO1的输出信号频率分频生成的频率的信号；基准分频器，对基准信号频率分频；频率调节装置，检测计数器输出信号与基准分频器输出信号之间的频率误差，并输出一信号，通过该信号切换在VCO1的谐振电路中使用的电容值或电感值；偏压控制装置，在频率调节装置工作时，施加任意电压到VCO1的控制电压端，将电荷泵的输出信号带入高阻抗状态。该频率合成器能将相位锁定在理想频率上。且能以低成本实现小型VCO。
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公开(公告)号：CN1503454A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310116350.6
申请日：2003-11-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0805 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 一种可变电容元件，包括：埋入电极层(102)，在半导体衬底的上表面区域部分由导电型与半导体衬底不同的半导体层形成；布线层(114)，与在埋入电极层上方形成的埋入电极层的引出部连接；一对电容绝缘膜(105、110)，分别在埋入电极层的除引出部以外的区域部分之上形成，区域部分在一个平面上有相对且邻近的侧面；绝缘体层(108)，在一对电容绝缘膜的与上述邻近的侧面垂直的各外侧面相连接的区域形成；一对导电体层(104、109)，分别在各电容绝缘膜和各绝缘体层上形成；及布线层(107、112)，分别与绝缘体层上的一对导电体层的引出部连接。通过分别改变埋入电极层和一对导电体层之间的电压，可改变埋入电极层和一对导电体层之间的电容值。
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公开(公告)号：CN100593856C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610121913.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L27/0921 , H01L29/0821 , H01L29/7322
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制因噪声引起的信号品质的劣化，并且能够减少因闩锁引起的电路误操作，能够确保良好的隔离度。该半导体器件包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在半导体衬底内的表面侧且位于第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在第2层内或第2层之上形成；以及沟槽型绝缘区域，位于2个半导体元件之间，形成在半导体衬底内且从半导体衬底的表面到达上述第1层，将2个半导体元件或半导体电路电分离。
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公开(公告)号：CN1925157A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610121913.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L27/0921 , H01L29/0821 , H01L29/7322
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制因噪声引起的信号品质的劣化，并且能够减少因闩锁引起的电路误操作，能够确保良好的隔离度。该半导体器件包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在半导体衬底内的表面侧且位于第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在第2层内或第2层之上形成；以及沟槽型绝缘区域，位于2个半导体元件之间，形成在半导体衬底内且从半导体衬底的表面到达上述第1层，将2个半导体元件或半导体电路电分离。
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公开(公告)号：CN1501579A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116158.7
申请日：2003-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03K3/354 , H01L27/0203 , H01L27/0738
Abstract: 提出了一种半导体差分电路，所述的半导体差分电路包括：半导体衬底；在半导体衬底上的第一半导体器件，所述的第一半导体器件具有：栅电极G1，用于使差分信号的其中之一输送到其上；以及漏电极D1，用于输出由栅电极G1控制的差分信号的其中之一；在半导体衬底上形成的第二半导体器件，所述的第二半导体器件具有：栅电极G2，用于使所述差分信号中的另一个输送到其上；以及漏电极D2，用于输出由所述的栅电极G2控制的差分信号中的另一个，其中：将漏电极D1和第二漏电极D2设置得较接近，从而使其在预定的频率上，等价于漏电极D1通过预定电阻接地，并且漏电极D2通过预定电阻接地。
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