公开(公告)号：CN100593856C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200610121913.4

申请日：2006-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中未来 ,  平冈幸生 ,  石川修

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制因噪声引起的信号品质的劣化，并且能够减少因闩锁引起的电路误操作，能够确保良好的隔离度。该半导体器件包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在半导体衬底内的表面侧且位于第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在第2层内或第2层之上形成；以及沟槽型绝缘区域，位于2个半导体元件之间，形成在半导体衬底内且从半导体衬底的表面到达上述第1层，将2个半导体元件或半导体电路电分离。

公开(公告)号：CN101174615A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710154205.5

申请日：2007-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森下龙也 ,  石川修

IPC: H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L25/03 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/1005 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件，设有：以芯片尺寸封装结构构成的半导体芯片；以及基材，对于各半导体芯片，该基材在与形成有其焊锡球(外部连接端子)的连接面相对置的对置面上通过粘接材料被粘接。并且，将多个半导体芯片相互连结。

公开(公告)号：CN1925157A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610121913.4

申请日：2006-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中未来 ,  平冈幸生 ,  石川修

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制因噪声引起的信号品质的劣化，并且能够减少因闩锁引起的电路误操作，能够确保良好的隔离度。该半导体器件包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在半导体衬底内的表面侧且位于第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在第2层内或第2层之上形成；以及沟槽型绝缘区域，位于2个半导体元件之间，形成在半导体衬底内且从半导体衬底的表面到达上述第1层，将2个半导体元件或半导体电路电分离。

公开(公告)号：CN1166246A

公开(公告)日：1997-11-26

申请号：CN96191250.2

申请日：1996-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西将明 ,  国久武人 ,  石川修

IPC: H03F3/60

CPC classification number: H03F3/68 ,  H03F3/602 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7231 ,  H03F2203/7233 ,  H03F2203/7236

Abstract: 一种功率放大器包括：一个具有一个输入端和一个输出端的第一放大器PA2；一个具有一个输入端和一个输出端的无源电路PC3；以及一个具有一个单极端和两个多掷端的第一开关SW2，第一开关SW2的一个多掷端被连接在第一放大器PA2的输入端上，第一开关SW2的另一个多掷端被连接在无源电路PC3的输入端上。这使得有可能提供一种功率放大器和一种通信单元，它们能够以不同频率、输出功率、或调制类型工作。

公开(公告)号：CN1081850C

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN96191250.2

申请日：1996-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西嶋将明 ,  国久武人 ,  石川修

IPC: H03F3/60

CPC classification number: H03F3/68 ,  H03F3/602 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7221 ,  H03F2203/7231 ,  H03F2203/7233 ,  H03F2203/7236

Abstract: 一种功率放大器包括：一个具有一个输入端和一个输出端的第一放大器PA2；一个具有一个输入端和一个输出端的无源电路PC3；以及一个具有一个单极端和两个多掷端的第一开关SW2，第一开关SW2的一个多掷端被连接在第一放大器PA2的输入端上，第一开关SW2的另一个多掷端被连接在无源电路PC3的输入端上。这使得有可能提供一种功率放大器和一种通信单元，它们能够以不同频率、输出功率、或调制类型工作。

公开(公告)号：CN1886834A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480034979.9

申请日：2004-11-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小岛严 ,  正垣年启 ,  石川修

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/0401

Abstract: 半导体装置(1)，具备：形成有集成电路(3、4)的半导体基板(2)；电连接集成电路(3、4)与外部接地电极的第1连接端子(7)以及第2连接端子(8)；电连接第1接地端子(7)和第2连接端子8的静电破坏保护元件(5)。第1接地端子(7)，与半导体基板(2)电连接，第2接地端子(8)不与半导体基板(2)电连接。