公开(公告)号：CN102387653B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110235970.6

申请日：2011-08-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  川浦广 ,  幸本彻哉

IPC: H05H1/30

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H05H1/28 ,  H05H1/34 ,  H05H1/3405

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，在等离子枪组件(T)中，整体形成线圈的铜棒(3)配置在石英块(4)上所设的铜棒插入孔(12)内，石英块(4)被在铜棒插入孔(12)及冷却水配管(15)内流过的水冷却。在枪组件(T)的最下部设置等离子体喷出口(8)，向长条腔室内部的空间(7)供给气体的同时，向铜棒(3)供给高频电力，而使长条腔室内部的空间(7)产生等离子体向基材(2)照射。据此，能够对基材(2)所期望的整个被处理区域在短时间内进行处理。

公开(公告)号：CN103094038A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210413158.2

申请日：2012-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  川浦广 ,  幸本彻哉

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H05H1/30

Abstract: 公开了等离子体处理装置，包括：环状的腔室，其由电介质部件包围，且具备作为等离子体喷出口的开口部；气体供给配管，其用于向腔室的内部导入气体；线圈，其设置在腔室的附近；高频电源，其连接于线圈；以及基材载置台。

公开(公告)号：CN102387653A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110235970.6

申请日：2011-08-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  川浦广 ,  幸本彻哉

IPC: H05H1/30

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H05H1/28 ,  H05H1/34 ,  H05H1/3405

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，在等离子枪组件(T)中，整体形成线圈的铜棒(3)配置在石英块(4)上所设的铜棒插入孔(12)内，石英块(4)被在铜棒插入孔(12)及冷却水配管(15)内流过的水冷却。在枪组件(T)的最下部设置等离子体喷出口(8)，向长条腔室内部的空间(7)供给气体的同时，向铜棒(3)供给高频电力，而使长条腔室内部的空间(7)产生等离子体向基材(2)照射。据此，能够对基材(2)所期望的整个被处理区域在短时间内进行处理。