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公开(公告)号:CN103094039B
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201210414355.6
申请日:2012-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32376 , H01J37/3244 , H01J37/32807 , H05H1/30 , H05H2001/4667
Abstract: 等离子体处理装置,包括:长形的腔室,其具有开口部;气体供给装置,其向腔室内供给气体;螺旋线圈,其在与腔室的长边方向平行的方向上具有细长的形状;以及高频电源,其连接于螺旋线圈,该等离子体处理装置还包括:基材载置台,其与开口部相对配置,并且保持基材;以及移动机构,其在腔室的长边方向与开口部的长边方向平行配置的状态下,能够在与开口部的长边方向垂直的方向上相对地移动腔室与基材载置台。
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公开(公告)号:CN102387653B
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201110235970.6
申请日:2011-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H01L21/02667 , H05H1/28 , H05H1/34 , H05H1/3405
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法,在等离子枪组件(T)中,整体形成线圈的铜棒(3)配置在石英块(4)上所设的铜棒插入孔(12)内,石英块(4)被在铜棒插入孔(12)及冷却水配管(15)内流过的水冷却。在枪组件(T)的最下部设置等离子体喷出口(8),向长条腔室内部的空间(7)供给气体的同时,向铜棒(3)供给高频电力,而使长条腔室内部的空间(7)产生等离子体向基材(2)照射。据此,能够对基材(2)所期望的整个被处理区域在短时间内进行处理。
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公开(公告)号:CN103094038A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201210413158.2
申请日:2012-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L21/3065 , H05H1/30
Abstract: 公开了等离子体处理装置,包括:环状的腔室,其由电介质部件包围,且具备作为等离子体喷出口的开口部;气体供给配管,其用于向腔室的内部导入气体;线圈,其设置在腔室的附近;高频电源,其连接于线圈;以及基材载置台。
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公开(公告)号:CN103094039A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201210414355.6
申请日:2012-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32376 , H01J37/3244 , H01J37/32807 , H05H1/30 , H05H2001/4667
Abstract: 等离子体处理装置,包括:长形的腔室,其具有开口部;气体供给装置,其向腔室内供给气体;螺旋线圈,其在与腔室的长边方向平行的方向上具有细长的形状;以及高频电源,其连接于螺旋线圈,该等离子体处理装置还包括:基材载置台,其与开口部相对配置,并且保持基材;以及移动机构,其在腔室的长边方向与开口部的长边方向平行配置的状态下,能够在与开口部的长边方向垂直的方向上相对地移动腔室与基材载置台。
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公开(公告)号:CN102387653A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110235970.6
申请日:2011-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/30
CPC classification number: H01L21/02667 , H05H1/28 , H05H1/34 , H05H1/3405
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法,在等离子枪组件(T)中,整体形成线圈的铜棒(3)配置在石英块(4)上所设的铜棒插入孔(12)内,石英块(4)被在铜棒插入孔(12)及冷却水配管(15)内流过的水冷却。在枪组件(T)的最下部设置等离子体喷出口(8),向长条腔室内部的空间(7)供给气体的同时,向铜棒(3)供给高频电力,而使长条腔室内部的空间(7)产生等离子体向基材(2)照射。据此,能够对基材(2)所期望的整个被处理区域在短时间内进行处理。
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