公开(公告)号：CN100355059C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN02823197.X

申请日：2002-11-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤光实 ,  泽田征俊 ,  本间顺子 ,  岛崎健二 ,  辻川洋行 ,  辨野宏

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。

公开(公告)号：CN1589495A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN02823197.X

申请日：2002-11-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤光实 ,  泽田征俊 ,  本间顺子 ,  岛崎健二 ,  辻川洋行 ,  辨野宏

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。