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公开(公告)号：CN100390924C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN03164947.5
申请日：2003-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/585 , G06F17/5068 , H01L27/0203 , H01L2924/0002 , Y02T10/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法和装置，其特征在于：可以增加去耦合电容器；可以有效吸收从电源产生的噪音；以及，可以实现电路的稳定工作。不管区域是否接近于电源线或地线，MOS分布在芯片的所有空区域上，并且通过利用引线层和扩散层连接到电源线和地线。
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公开(公告)号：CN1694254A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510076262.7
申请日：2005-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L23/5286 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能够有效地吸收电源噪声、能够实现电路的稳定操作的半导体集成电路器件，具体地，能够在噪声产生源附近吸收噪声的半导体集成电路器件。半导体集成电路器件具有至少一个电路模块。半导体集成电路器件包括具有在电路模块上形成的第一导体层1a和在第一导体层1a上形成的第二导体层1b以及其间插入的电容器绝缘膜1c的旁路电容器。旁路电容器的第一和第二导体层的一个通过固定衬底电位的衬底接触连接到接地线路或电源线路的一个，另一个连接到电源线路或接地线路的另一个。
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公开(公告)号：CN1622097A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095888.8
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G01R29/26
Abstract: 根据半导体集成电路的设计数据，计算与电源布线相关的一个阻抗，并根据所计算出的阻抗，分析电源噪声的频率特性。在阻抗计算中，可以计算不同电位的电源，例如，主电源和地之间的阻抗。或者，可以计算在电位基本相同的电源，例如，主电源和N阱电源之间的阻抗。所计算出的阻抗包括电源布线之间的布线电容、衬底电阻、连接到所述电源布线的封装阻抗等。因此，能够提供在设计过程的较早阶段用较小的计算量进行地分析半导体集成电路的电源噪声的方法。
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公开(公告)号：CN1591431A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410011947.9
申请日：2004-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 在用于半导体集成电路的衬底噪声分析中，结合包括大规模RC电路网络的衬底的阻抗/电源电阻，计算在电路传到其上的模拟电路中输入到衬底的电流量以及衬底电势波动花费很长的时间。在计算传到电源/地线的电流时，通过分别对于栅级电平模拟中逻辑改变中的上升/下降，将具有与功率消耗相对应的面积的三角形相加而减少了计算量。通过在块、实例或同时发生的操作的基础上加和电流、界面电容、界面电阻、电源电阻、地线电阻、电源电压波动和地线电压波动，减少了计算量。由于减少了计算量，所以施加衬底噪声分析花费较短的周期。此外，还减少了用于计算的元件，因此可以将衬底噪声分析施加到大规模半导体集成电路上。
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公开(公告)号：CN1637745A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410082184.7
申请日：2004-12-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/5063
Abstract: 根据一个半导体集成电路的设计数据来计算电源线的阻抗，获得所计算出的阻抗的频率特性，并根据所获得的频率特性来更改所述半导体集成电路的设计。作为上述阻抗，可以计算电势不同的电源例如电源和地之间的阻抗，或者可以计算电势基本相同的电源例如电源和N－阱电源之间的阻抗。通过设计修改，改变了例如布线方法、焊盘数量、电源的隔离、封装类型、电感元件的特性、衬底结构、布线之间的距离、去耦电容、布线的长度和电阻元件的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1589495A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02823197.X
申请日：2002-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。
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公开(公告)号：CN1495650A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03164958.0
申请日：2003-08-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 为了提供一种能够形成高可靠性半导体装置的生成用于半导体装置的图案的高精确度方法，本发明提供一种生成用于半导体装置的图案的方法，包括：设计和布置半导体芯片的布图图案的步骤；从布图图案中选取掩模图案的面积比的步骤；以及把虚设图案增加和布置到布图图案上的步骤，同时根据构成布图图案的层的工艺条件，考虑得到的层的布图图案最适合的面积比，以便使层的面积比能是最适合的面积比。
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公开(公告)号：CN100367286C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200410095888.8
申请日：2004-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G01R29/26
Abstract: 根据半导体集成电路的设计数据，计算与电源布线相关的一个阻抗，并根据所计算出的阻抗，分析电源噪声的频率特性。在阻抗计算中，可以计算不同电位的电源，例如，主电源和地之间的阻抗。或者，可以计算在电位基本相同的电源，例如，主电源和N阱电源之间的阻抗。所计算出的阻抗包括电源布线之间的布线电容、衬底电阻、连接到所述电源布线的封装阻抗等。因此，能够提供在设计过程的较早阶段用较小的计算量进行地分析半导体集成电路的电源噪声的方法。
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公开(公告)号：CN100355059C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN02823197.X
申请日：2002-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的目的是有效地吸收电源噪声并实现电路的稳定工作。本发明提供了一种半导体器件，包括：包括MOS结构的旁路电容，具有一栅极电极，该栅极电极被形成为从电源线区延伸到在邻接电源线区并不具有其它功能层的空区下设置的部分并经由电容绝缘膜形成于具有一种导电类型的扩散区上；和形成在地线区之下并固定基板电势的基板接触，其中旁路电容具有与在栅极电极表面上形成的电源线接触的触点并具有彼此连接的具有一种导电类型的扩散区和基板接触的扩散区。
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公开(公告)号：CN1667505A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510054376.1
申请日：2005-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027 , H01L21/82
Abstract: 一种检出方法，从掩模图案抽出制造上成问题的缺陷。掩模图案是使在光刻蚀工序中使用的光掩膜的掩模图案变形，以便得到近似于所需的设计图案的复制图象。该检出方法包括：决定光刻蚀工序中的曝光量的工序；根据曝光量，使用计算机，进行光刻蚀工序的模拟的工序；确认是否能够获得所需要的设计图案的工序；特定故障部位后输出的工序。
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