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公开(公告)号：CN110112295A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910048481.6
申请日：2019-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本公开提供一种具有高的转换效率、并且具有高的耐久性的钙钛矿太阳能电池。本公开的太阳能电池，具备第1电极、第2电极、位于第1电极与第2电极之间的钙钛矿光吸收层、位于第1电极与光吸收层之间的第1半导体层、以及位于第2电极与光吸收层之间的第2半导体层。第1半导体层含有Li。第2半导体层含有LiN(SO2CF3)2。第2半导体层含有聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]。在第2半导体层中，LiN(SO2CF3)2相对于聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]的摩尔比为0.15以上且0.26以下。
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公开(公告)号：CN109563108B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201780044585.9
申请日：2017-07-03
Applicant: 洛桑联邦理工学院 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 迈克尔·萨利巴 , 松井太佑 , 康拉德·多曼斯基 , 徐姬妍 , 沙克·穆罕默德·扎科鲁丁 , 沃尔夫冈·理查德·特雷斯 , 迈克尔·格雷泽尔
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿材料，所述钙钛矿材料包含式(I)的有机‑无机钙钛矿结构，AnMX3(I)，n是阳离子A的数目并且是≥4的整数，A是选自无机阳离子Ai和/或选自有机阳离子Ao的单价阳离子，M是二价金属阳离子或其组合，X是卤化物阴离子和/或拟卤化物阴离子或其组合，其中至少一种阳离子A选自有机阳离子Ao，无机阳离子Ai独立地选自Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+或Tl+，并且有机阳离子Ao独立地选自铵离子(NH4+)、甲基铵离子(MA)(CH3NH3+)、乙基铵离子(CH3CH2NH3+)、甲脒鎓离子(FA)(CH(NH2)2+)、甲基甲脒鎓离子(CH3C(NH2)2+)、胍鎓离子(C((NH)2)3+)、四甲基铵离子((CH3)4N+)、二甲基铵离子((CH3)2NH2+)或三甲基铵离子((CH3)3NH+)。
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公开(公告)号：CN109563108A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780044585.9
申请日：2017-07-03
Applicant: 洛桑联邦理工学院 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 迈克尔·萨利巴 , 松井太佑 , 康拉德·多曼斯基 , 徐姬妍 , 沙克·穆罕默德·扎科鲁丁 , 沃尔夫冈·理查德·特雷斯 , 迈克尔·格雷泽尔
CPC classification number: C07F7/003 , H01L51/0032 , H01L51/005 , H01L51/4226 , H01L51/5012 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿材料，所述钙钛矿材料包含式(I)的有机-无机钙钛矿结构，AnMX3(I)，n是阳离子A的数目并且是＞4的整数，A是选自无机阳离子Ai和/或选自有机阳离子Ao的单价阳离子，M是二价金属阳离子或其组合，X是卤化物阴离子和/或拟卤化物阴离子或其组合，其中至少一种阳离子A选自有机阳离子Ao，无机阳离子Ai独立地选自Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+或Tl+，并且有机阳离子Ao独立地选自铵离子(NH4+)、甲基铵离子(MA)(CH3NH3+)、乙基铵离子(CH3CH2H3+)、甲脒鎓离子(FA)(CH(NH2)2+)、甲基甲脒鎓离子(CH3C(NH2)2+)、胍鎓离子(C((NH)2)3+)、四甲基铵离子((CH3)4N+)、二甲基铵离子((CH3)2NH2+)或三甲基铵离子((CH3)3NH+)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112299A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910049165.0
申请日：2019-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本公开提供一种具有高的耐久性的钙钛矿太阳能电池。本公开的太阳能电池，具备第1电极、第2电极、位于所述第1电极与所述第2电极之间的光吸收层、位于所述第1电极与所述光吸收层之间的第1半导体层、以及位于所述第2电极与所述光吸收层之间的第2半导体层。选自第1电极和第2电极之中的至少一个电极具有透光性。光吸收层含有由组成式AMX3表示的钙钛矿化合物。A表示一价阳离子。M表示二价阳离子。X表示卤素阴离子。第1半导体层含有Li。第2半导体层含有LiN(SO2CnF2n+1)2(其中，n为2以上的自然数)。
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公开(公告)号：CN103068573B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280002256.5
申请日：2012-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01B1/124 , B32B3/26 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B2262/103 , B32B2262/106 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2457/20 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01L51/003 , H01L51/5215 , Y10T428/249979 , Y10T428/249986 , Y10T428/249991 , Y10T428/249993 , Y10T428/265 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的透明导电膜（3）包含：含多根金属细线（7）的第1透明树脂层（8）、含导电性高分子的第2透明树脂层（9）、设置在第1透明树脂层（8）与第2透明树脂层（9）之间的第3透明树脂层（10）。第2透明树脂层（9）含有可溶于水的树脂，第3透明树脂层（10）含有不溶于水或具有耐水性的树脂。通过第3透明树脂层（10），能够抑制第2透明树脂层（9）与第1透明树脂层（8）混合，能够使第2透明树脂层（9）不易受到来自第1透明树脂层（8）的损伤。因此，第2透明树脂层（9）的表面平滑且导电性变得均匀。
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公开(公告)号：CN104094671A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380006477.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/09 , H01B1/22 , H01L51/0023 , H01L51/0027 , H01L51/0096 , H01L51/5215 , H01L51/5234
Abstract: 本发明的带有透明导电层的基材(1)具有基材(11)和配置在基材(11)上的透明导电层(12)。透明导电层(12)具有导电性区域(13)和非导电性区域(14)。导电性区域(13)包括导电性微粒(121)和树脂基体(122)。非导电性区域(14)包括导电性微粒(123)和树脂基体(122)。非导电性区域(14)的雾度值比导电性区域(13)的雾度值大。
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公开(公告)号：CN103068573A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201280002256.5
申请日：2012-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01B1/124 , B32B3/26 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B2262/103 , B32B2262/106 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2457/20 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01L51/003 , H01L51/5215 , Y10T428/249979 , Y10T428/249986 , Y10T428/249991 , Y10T428/249993 , Y10T428/265 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的透明导电膜（3）包含：含多根金属细线（7）的第1透明树脂层（8）、含导电性高分子的第2透明树脂层（9）、设置在第1透明树脂层（8）与第2透明树脂层（9）之间的第3透明树脂层（10）。第2透明树脂层（9）含有可溶于水的树脂，第3透明树脂层（10）含有不溶于水或具有耐水性的树脂。通过第3透明树脂层（10），能够抑制第2透明树脂层（9）与第1透明树脂层（8）混合，能够使第2透明树脂层（9）不易受到来自第1透明树脂层（8）的损伤。因此，第2透明树脂层（9）的表面平滑且导电性变得均匀。
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公开(公告)号：CN103460304A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017731.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , B82Y30/00 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H05K1/0313 , H05K1/097 , H05K3/027 , H05K3/4664 , H05K2201/032 , H05K2201/2054
Abstract: 所提供的是透明导电膜，所述透明导电膜能够比传统更容易地并且更迅速地将导电膜转化为绝缘区域，并且还能够降低所述导电区域与所述绝缘区域之间的水平。形成导电区域(4)和绝缘区域(5)。所述导电区域(4)含有树脂组分(10)、金属纳米线(2)和绝缘促进组分(3)。所述绝缘促进组分(3)是具有比所述金属纳米线(2)的光吸收性高的光吸收性的纳米粒子。所述绝缘区域(5)或含有树脂组分(10)但不含有金属纳米线(2)，或含有树脂组分(10)和具有比上述金属纳米线(2)小的纵横比的金属纳米线(2)。
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