公开(公告)号：CN1614835A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410092538.6

申请日：2004-11-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 富士原洁 ,  上野明 ,  松田佳昭 ,  中西秀行

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  G11B7/125

CPC classification number: G11B7/127 ,  G11B7/123 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/49171 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器组件，具有容易组装的简单的结构，散热容易，且可同时实现高功能化和小型化。其具有：宽度与硅衬底(120)的宽度和挠性薄板(130)的宽度中的较大一方略一致的金属板(100)、半导体激光器(110)、集成有光检测电路及信号处理电路的硅衬底(120)、挠性薄板(130)、金属线(140)、以及光学元件(150)，挠性薄板(130)在金属板(100)上被分为2部分，该被分为2部分的挠性薄板(130)夹着硅衬底(120)相对置。

公开(公告)号：CN101346857A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049460.7

申请日：2006-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川義晃 ,  横川俊哉 ,  山田笃志 ,  松田佳昭

IPC: H01S5/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/301 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  Y10S148/028

Abstract: 本发明是一种具备基板和被基板的上面所支持的叠层结构(40)的氮化物半导体元件的制造方法，首先，准备需要被分割成单个基板的晶片(1)。使构成叠层结构(40)的多个半导体层在晶片(1)上生长。通过解理晶片(1)及半导体层形成叠层结构(40)的解理面。在本发明中，在叠层结构中要形成解理面的位置中配置多个空隙。因此，就能够合格率高地进行解理。