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公开(公告)号：CN101124704A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200680005368.0
申请日：2006-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L29/861 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01S5/0207 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该装置具备：n型GaN衬底(10)、形成于n型GaN衬底(10)的主面上并包含p型区域及n型区域的半导体叠层结构(100)、与半导体叠层结构(100)所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)、设在n型GaN衬底(10)的背面上的n侧电极(34)，n型GaN衬底的背面包含氮面，其背面和n侧电极(34)的界面上的碳浓度调整为5原子％以下。
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公开(公告)号：CN101496236A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028446.3
申请日：2007-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01S5/0202 , H01S5/02272 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，具备：含有n型杂质，由碳化硅或氮化物半导体形成的GaN基板(1)；配置在GaN基板(1)的主面上的叠层构造体(10)；形成在叠层构造体(10)上的p电极(17)；和实质覆盖整个GaN基板(1)背面的第一n电极(18)；和配置在第一n电极(18)上，使第一n电极(18)的周边部的至少一部分露出的第二n电极(20)。
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公开(公告)号：CN101356701A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050923.1
申请日：2006-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/042
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 本发明的氮化物半导体器件，包括：n－GaN基板(10)，形成在n－GaN基板(10)的主面上的、包含p型区和n型区及其之间的有源层的半导体叠层结构。在半导体叠层结构上面处形成具有开口部的SiO2层(30)和与半导体叠层结构中所包含的p型区域的一部分相接触的p侧电极，在基板(10)的背面处形成n侧电极(36)。p侧电极包含与p型区的一部分相接触的p侧接触电极(2)和覆盖p侧接触电极(2)及SiO2层(30)的p侧布线电极(34)，p侧接触电极(32)的一部分自p侧布线电极(34)露出。
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公开(公告)号：CN101346857A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049460.7
申请日：2006-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/02 , H01L21/205 , H01L21/301 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01S5/0202 , H01S5/22 , H01S5/2201 , Y10S148/028
Abstract: 本发明是一种具备基板和被基板的上面所支持的叠层结构(40)的氮化物半导体元件的制造方法，首先，准备需要被分割成单个基板的晶片(1)。使构成叠层结构(40)的多个半导体层在晶片(1)上生长。通过解理晶片(1)及半导体层形成叠层结构(40)的解理面。在本发明中，在叠层结构中要形成解理面的位置中配置多个空隙。因此，就能够合格率高地进行解理。
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