-
公开(公告)号：CN102782763B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201080065188.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明是提供一种半导体存储装置。在该半导体存储装置中，调节器(201)的输出被连接至第一、第二开关(202)、(203)的输入，所述第一开关(202)的输出在第一模式时，与提供存储单元(207)的漏极电压的总线连接，所述第二开关(203)的输出在第二模式时，与提供存储单元(207)的栅极电压的总线连接。此外，与所述第二开关(203)并列设置有第四开关(204)。该第四开关(204)的输出侧与所述第二开关(203)的输出侧连接，并提供第一模式时的存储单元(207)的栅极电压。因此，通过一个调节器来兼用存储单元的漏极电压用调节器、和存储单元的栅极电压用调节器这两个调节器。
-
公开(公告)号：CN102782763A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080065188.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C16/06
Abstract: 本发明是提供一种半导体存储装置。在该半导体存储装置中，调节器(201)的输出被连接至第一、第二开关(202)、(203)的输入，所述第一开关(202)的输出在第一模式时，与提供存储单元(207)的漏极电压的总线连接，所述第二开关(203)的输出在第二模式时，与提供存储单元(207)的栅极电压的总线连接。此外，与所述第二开关(203)并列设置有第四开关(204)。该第四开关(204)的输出侧与所述第二开关(203)的输出侧连接，并提供第一模式时的存储单元(207)的栅极电压。因此，通过一个调节器来兼用存储单元的漏极电压用调节器、和存储单元的栅极电压用调节器这两个调节器。
-
公开(公告)号：CN101640070A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910164907.0
申请日：2009-07-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，能抑制程序操作时向存储单元施加接地电源时产生的因IR-DROP而导致的接地电压上升。针对与存储单元(MC)的源极和漏极连接的位线(MBL0)、(MBL1)，与接地端之间设置有放电晶体管(D0)、(D1)。放电晶体管(D0)、(D1)的栅极接收由DS解码驱动器(53)生成并输出的相互独立的放电控制信号(DS0)、(DS1)。存储单元(MC)的程序操作时，针对施加接地电压的位线(MBL0)，能够利用放电晶体管(D0)来设定接地电压。
-
公开(公告)号：CN111542882A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880083668.3
申请日：2018-12-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置具备：具有多个存储单元(10)的存储单元阵列、进行向存储单元(10)的写入的写入电路、以及控制电路。存储单元(10)具有：电阻变化型的非易失性的存储元件(12)、以及与其串联连接的单元晶体管(14)。写入电路具有：与单元晶体管(14)连接的源极线驱动电路(20)、以及与存储元件(12)连接的位线驱动电路(40)。控制电路在进行使存储元件(12)成为低电阻状态的写入动作的情况下，进行将第1电流值的电流流到存储元件(12)的控制，在此之后，进行将第2电流值的电流流到存储元件(12)的控制。第2电流值比存储元件(12)向低电阻状态的变化开始后的存储元件(12)的电流的过冲的最大值大。
-
公开(公告)号：CN111052154A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057233.1
申请日：2018-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 在根据输入数据与耦合权重系数的乘加运算结果而将输出数据输出的神经网络运算电路中，具备运算机构，该运算机构中，存储元件RP和晶体管T0串联连接在数据线BL0、SL0之间，存储元件RN和晶体管T1串联连接在数据线BL1、SL1之间，在晶体管T0、T1的栅极连接有字线；在存储元件RP、RN中保存耦合权重系数w0～wn；字线选择电路(30)根据输入数据x0～xn将字线WL0～WLn设为选择状态或非选择状态；判定电路(50)通过判定流过BL0、BL1的电流值，将输出数据输出。电流施加电路(100)具有调整流过BL0、BL1的电流值的功能，不改写存储元件RP、RN就调整耦合权重系数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101640068A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910160243.0
申请日：2009-07-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445
Abstract: 非易失性半导体存储装置，存储器阵列具有阵列状配置的存储器单元(101)、多个字线(102)、多个位线(103)及主位线(104)，由能够存储数据的使用区域和不能存储数据的分离区域构成。使用区域配置的多个位线的每一个，通过选择晶体管作媒介，与主位线连接。至少一条主位线，在与使用区域的位线连接的同时，还通过选择晶体管作媒介，与分离区域的位线连接。可抑制反复执行施加擦除电压步骤之际的向位线施加的电压的离差，减少擦除后的Vt离差。
-
公开(公告)号：CN101640062A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910164655.1
申请日：2009-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置。能充分确保EEPROM等中的存储单元的漏极电压的上升时间，低消耗功率，并且向存储单元提供足够大的漏极电压。晶体管(40)将存储单元(11)的源极设定为浮动状态及接地状态的任意一种。漏极电压产生电路(50)具有连接在第一电源电压与该漏极产生电路的输出端之间的第一开关元件(51)；与第一开关元件(51)并联连接，且比第一开关元件(51)电流能力小的第二开关元件(52)；及在第二开关元件(52)导通之后第一开关元件(51)导通的控制电路(53)，生成向存储单元(11)的漏极应提供的电压。
-
公开(公告)号：CN111095417A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880057229.5
申请日：2018-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 在根据输入数据(x0～xn)与耦合权重系数(w0～wn)的积和运算结果将输出数据(y)输出的神经网络运算电路中，具备运算机构(PU0～PUn)，该运算机构中，非易失性半导体存储元件(RP)和单元晶体管(T0)串联连接在数据线(BL0、SL0)之间，非易失性半导体存储元件(RN)和单元晶体管(T1)串联连接在数据线(BL1、SL1)之间，在单元晶体管(T0、T1)的栅极连接有字线(WL0～WLn)；在RP、RN中保存耦合权重系数(w0～wn)，字线选择电路(30)根据x0～xn将WL0～WLn设为选择状态或非选择状态，判定电路(50)通过判定流过BL0、BL1的电流值，将输出数据(y)输出。
-
-
公开(公告)号：CN111052153A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057223.8
申请日：2018-08-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 将在神经网络运算中使用的耦合权重系数保存到存储器阵列(20)中，由字线驱动电路(24)驱动与神经网络的输入数据对应的字线(22)，由列选择电路(25)将连接有作为运算对象的耦合权重系数的位线连接到运算电路(26)，在运算电路(26)中判定流过位线(23)的单元电流的总和。将运算电路(26)的判定结果保存到输出保持电路(27)中，作为下一层的神经网络的输入而向字线驱动电路(24)设定。控制电路(29)基于保持在网络构成信息保持电路(28)中的信息，对字线驱动电路(24)及列选择电路(25)指示在神经网络运算中使用的字线(22)及位线(23)的选择。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.031 seconds)
