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公开(公告)号：CN102473808A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002705.1
申请日：2011-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，发光二极管还具有在单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，各单晶ZnO棒的下部，具有从单晶ZnO透明电极膜向n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。
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公开(公告)号：CN103299179A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201280004414.0
申请日：2012-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 田中浩之
CPC classification number: G01N33/84 , C12Q1/6827 , G01N27/3275 , C12Q2565/301 , C12Q2565/631
Abstract: 本发明提供通过小型传感器以高灵敏度并且高精度检测试样溶液中的焦磷酸的焦磷酸的检测方法以及SNP分型方法。本发明中，将容量超过测定腔的容量的试样溶液从流路供给到所述测定腔，使液滴从所述开口部露出。液滴具有球形。球形通过在液滴的表面上产生的表面张力来维持。使液滴中包含的试样溶液的至少一部分蒸发，增加测定腔中包含的试样溶液的焦磷酸的浓度。
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公开(公告)号：CN102473809A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002711.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触，p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接，单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。
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公开(公告)号：CN102405522A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200980158826.8
申请日：2009-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28291 , G11C11/22 , H01L27/1159 , H01L27/1251 , H01L29/78391
Abstract: 一种半导体存储单元，具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件、和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，铁电体膜(4)与顺电体膜(9)隔着非晶半导体膜(5)而层叠，在铁电体膜(4)侧，形成MFSFET(21)的第1栅电极(3)，在顺电体膜(9)侧，形成MISFET的第2栅电极(10)。非晶半导体膜(5)构成MFSFET(21)以及MISFET(22)的共用的沟道层，在非晶半导体膜(5)的主面上，形成MFSFET(21)以及MISFET(22)共用的源电极(6)以及漏电极(8)。
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公开(公告)号：CN102473808B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201180002705.1
申请日：2011-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，发光二极管还具有在单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，各单晶ZnO棒的下部，具有从单晶ZnO透明电极膜向n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103007856A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210356871.8
申请日：2012-09-21
Applicant: IMEC公司 , 鲁汶天主教大学 , 松下电器产业株式会社
IPC: B01J19/00
CPC classification number: B01L3/502707 , B01L3/502715 , B01L7/52 , B01L2200/147 , B01L2300/0816 , B01L2300/1805 , B01L2300/1883 , B81B3/0081 , B81B7/0087 , B81B2201/051
Abstract: 本发明涉及用于微反应器绝热的方法及设备。本发明提供了一种微流控设备（104），包括：-半导体衬底；-在所述半导体衬底中的至少一个微反应器(105)；-在所述半导体衬底中连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个微流控通道(101)；-结合至所述半导体衬底(900)以便密封所述一个或多个微流控通道(101)的覆盖层(106)；以及-围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100)。
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公开(公告)号：CN102428519A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021659.5
申请日：2010-10-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L21/8246 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: G11C11/22 , H01L27/1159 , H01L29/4908 , H01L29/6684 , H01L29/78391 , H01L29/78648
Abstract: 在本发明的驱动方法中，具有：通过分别对第一栅极电极(12)、第二栅极电极(17)、源极电极(15s)和漏极电极(15d)施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＞Vs和V2＞Vd的关系的电压V1、V2、Vs和Vd，对半导体存储装置写入第一电阻值的工序(1)；通过施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第二电阻值的工序(2)；和通过施加满足V1＜Vs、V1＜Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第三电阻值的工序(3)。
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公开(公告)号：CN102265392A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152064.0
申请日：2009-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , G11C11/22 , H01L21/8247 , H01L27/105 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/28291 , G11C11/22 , G11C11/223 , H01L27/1159 , H01L29/516 , H01L29/6684 , H01L29/78391
Abstract: 本发明的半导体存储单元具备由第1场效应晶体管构成的存储器元件(21)和由的第2场效应晶体管构成的选择开关元件(22)，第1场效应晶体管用铁电体膜构成栅极绝缘膜(13)，第2场效应晶体管用顺电体膜构成栅极绝缘膜(16)，铁电体膜和顺电体膜隔着由化合物半导体构成的半导体膜(14)而层叠。在铁电体膜侧形成第1场效应晶体管的第1栅极电极(12)，在顺电体膜侧与第1栅极电极(12)相对置地形成第2场效应晶体管的第2栅极电极(17)，半导体膜(14)构成第1以及第2场效应晶体管的公共的沟道层。
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公开(公告)号：CN103007856B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201210356871.8
申请日：2012-09-21
Applicant: IMEC公司 , 鲁汶天主教大学 , 松下电器产业株式会社
IPC: B01J19/00
Abstract: 本发明涉及用于微反应器绝热的方法及设备。本发明提供了一种微流控设备（104），包括：‑半导体衬底；‑在所述半导体衬底中的至少一个微反应器(105)；‑在所述半导体衬底中连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个微流控通道(101)；‑结合至所述半导体衬底(900)以便密封所述一个或多个微流控通道(101)的覆盖层(106)；以及‑围绕所述至少一个微反应器(105)和所述一个或多个微流控通道(101)的至少一个贯通衬底的沟(100)。
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公开(公告)号：CN102473809B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180002711.7
申请日：2011-04-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供发光二极管，其同时达成从窗电极层抽取光的光抽取效率的提高和与p型GaN接触的窗电极层的接触电阻的降低。n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层和p侧电极，以此顺序层叠，n侧电极与n型氮化物半导体层电连接，窗电极层具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，p侧氮化物半导体层与单晶n型ITO透明电极膜接触，单晶n型ITO透明电极膜与单晶n型ZnO透明电极膜接触，p侧电极与单晶n型ZnO透明电极膜电连接，单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，单晶n型ITO透明电极膜具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，单晶n型ITO透明电极膜具有1.1nm以上55nm以下的厚度。
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