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公开(公告)号：CN1116701C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN98105298.3
申请日：1998-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/66196 , H01L29/8605
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，包括在半绝缘性半导体基片上有选择地形成电阻区域，在该电阻区域的两端部上有选择地形成欧姆电极。在电极间形成有开口部的光刻胶，使完全不横穿电阻区域。借助于一点一点不断地蚀刻除去所述开口内的电阻区域，得到所要的电阻值。本发明的半导体器件的制造方法，能事先防止电阻值变得无限大，能改善电阻值的控制性和均匀性，并能提高原材料的利用率。
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