-
公开(公告)号：CN1617399A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410094706.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种包含一个衬底(101)和至少两个有源层(103、106)的半导体激光器，其中分别包含所述有源层(103、106)的两个谐振器(201、204)相互平行布置，并且其中在所述谐振器(201、204)中，所述有源层(103、106)的注入电流区具有不同的长度。这样，在本发明所述的双波长激光器中，通过克服由解理确定的对所述谐振器(201、204)的长度限制，能够独立地设计和制造不同特性的诸如红色激光器和红外激光器等多个激光器的有效谐振器长度，采用适于各个理想特性的谐振器长度，并且提供具有改善的激光特性的半导体。
-
公开(公告)号：CN1151542C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN98120107.5
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法是在基板上形成具有底部的介通孔后，在介通孔的至少侧壁上形成导电层。然后，为使导电层露出，将基板上介通孔形成侧的相反一侧的部分去除，对基板进行薄化处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1901302A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106015.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
-
公开(公告)号：CN1116701C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN98105298.3
申请日：1998-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/00
CPC classification number: H01L29/66196 , H01L29/8605
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，包括在半绝缘性半导体基片上有选择地形成电阻区域，在该电阻区域的两端部上有选择地形成欧姆电极。在电极间形成有开口部的光刻胶，使完全不横穿电阻区域。借助于一点一点不断地蚀刻除去所述开口内的电阻区域，得到所要的电阻值。本发明的半导体器件的制造方法，能事先防止电阻值变得无限大，能改善电阻值的控制性和均匀性，并能提高原材料的利用率。
-
公开(公告)号：CN100563069C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200610106015.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层(101)、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层(102)、和第二导电型的第1覆层(103)在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层(104)、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层(105)、和第二导电型的第2覆层(106)在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层(103)的晶格常数及第二导电型的第2覆层(106)的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层(102)的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层(105)的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
-
公开(公告)号：CN1302589C
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200410094706.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种包含一个衬底(101)和至少两个有源层(103、106)的半导体激光器，其中分别包含所述有源层(103、106)的两个谐振器(201、204)相互平行布置，并且其中在所述谐振器(201、204)中，所述有源层(103、106)的注入电流区具有不同的长度。这样，在本发明所述的双波长激光器中，通过克服由解理确定的对所述谐振器(201、204)的长度限制，能够独立地设计和制造不同特性的诸如红色激光器和红外激光器等多个激光器的有效谐振器长度，采用适于各个理想特性的谐振器长度，并且提供具有改善的激光特性的半导体。
-
公开(公告)号：CN1253363A
公开(公告)日：2000-05-17
申请号：CN99122373.X
申请日：1999-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01C17/242
CPC classification number: H01C17/23 , H01L27/0802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种调整用电阻和半导体装置具有相互并联连接的多个电阻。通过光的照射可分别切断多个电阻,通过切断多个电阻中的一部分电阻,可调整该调整用电阻的电阻值。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.02 seconds)
