公开(公告)号：CN103125016B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280003093.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  野村刚 ,  奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  田边浩 ,  臼井幸也

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。

公开(公告)号：CN103477433A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280016008.6

申请日：2012-06-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 臼井幸也

IPC: H01L23/544 ,  H01L31/02 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L29/06 ,  G03F9/7007 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/544 ,  H01L31/02 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供具有点标记的半导体基板。特别地，提供具有读取率提高的点标记的半导体基板。该半导体基板具有由倒锥台状的凹部构成的多个点标记，该多个点标记构成配置于0.25mm2～9mm2的矩形区域的二维码。凹部的口径W为20μm～200μm，且大于所述凹部的底面的直径w，并且小于所述半导体基板的厚度。另外，凹部的侧面具有4个以上的梯形的平坦的锥面，所述锥面的锥角相对于所述半导体基板表面在44°～65°的范围。

公开(公告)号：CN103125016A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201280003093.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  野村刚 ,  奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  田边浩 ,  臼井幸也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。