公开(公告)号：CN102057437B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201080001799.6

申请日：2010-02-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 蓝原智之 ,  白滨政则 ,  山上由展 ,  车田希总 ,  铃木利一

IPC: G11C11/417 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/41 ,  G11C11/418 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H03K19/0185

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C11/413 ,  G11C2207/002 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，具备：被配置在字线与位线的交点的存储器单元(100)、与位线连接的预充电电路(101)、由写入控制信号控制的列选择电路(102)、和作为写入电路而设置的箝位电路(103A)。箝位电路(103A)具有：将被选择的位线的电位控制在第一电位(例如0V)的晶体管(QN17)、和将该被选择的位线的电位控制在比第一电位低的第二电位(例如负电位)的可变电容元件(C11)。由于采用了可变电容元件(C11)，所以在电源电压变高的情况下，基于元件电容减少，来抑制从第一电位向第二电位的下降量。

公开(公告)号：CN102057437A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201080001799.6

申请日：2010-02-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 蓝原智之 ,  白滨政则 ,  山上由展 ,  车田希总 ,  铃木利一

IPC: G11C11/417 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/41 ,  G11C11/418 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H03K19/0185

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C11/413 ,  G11C2207/002 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置，具备：被配置在字线与位线的交点的存储器单元(100)、与位线连接的预充电电路(101)、由写入控制信号控制的列选择电路(102)、和作为写入电路而设置的箝位电路(103A)。箝位电路(103A)具有：将被选择的位线的电位控制在第一电位(例如0V)的晶体管(QN17)、和将该被选择的位线的电位控制在比第一电位低的第二电位(例如负电位)的可变电容元件(C11)。由于采用了可变电容元件(C11)，所以在电源电压变高的情况下，基于元件电容减少，来抑制从第一电位向第二电位的下降量。